論文
公開件数:90件
No. 掲載種別 単著・共著区分 タイトル 著者 誌名 出版者 巻号頁 出版日 ISSN DOI URL 概要
1 研究論文(大学,研究機関紀要)
共著
Crystallization Properties of CeO2 Thin Films Deposited by MOCVD with Additional TEOS Introduction
T. Furuya, T. Sato, T. Matsumura, Y. Okabe, S. Suzuki, K. Ishibashi
Proc. 33rd Sympos. Mat. Sci. and Eng., Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University

33, 70-76
2015/03/01




2 研究論文(学術雑誌)
共著
Normally-off GaN MOSFETs with high-k dielectric CeO2 films deposited bhy RF sputtering
Hiroki Ogawa, Takuya Okazaki, Hayao Kasai, kenta Hara, Yuki Notani, Yasuhiro Yamamoto and Tohru Nakamura
Physica Status Solidi C

11/ 2, 302-306
2014/02




3 研究論文(大学,研究機関紀要)
共著
Electrical Properties of Al Doped CeO2 Thin Films Deposited by O2 Introduced Ar Sputtering
Y. Notani, T. Okazaki, K. Hara, T. Osawa, K. Hibino, S. Suzuki, K. Ishibashi and Y. Yamamoto
Proc. 32nd Symposium on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University

32, 52-57
2013/12/04




4 研究論文(大学,研究機関紀要)
共著
Effect of O2 Introduction Property of Al Doped CeO2 Films Deposited by Sputtering Method
K. Hara, T. Okazaki, Y. Notni, T. Osawa, K. Hibino, S. Suzuki, K. Ishibashi and Y. Yamamoto
Proc. 32nd Symposium on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University

32, 46-51
2013/12/04




5 研究論文(学術雑誌)
共著
Regrowth characteristics of SiGe/Si by IBIEC and SPEG
K. Awane, Y. Kokubo, M. Yomogida, T. Nishimura and Y. Yamamoto
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B

307, 399-403
2013/04




6 (MISC)会議報告等
共著
Regrowth Characteristics of SiGe/Si by IBIEC
K. Awane, W. Sekine, M. Miyashita and Y. Yamamoto
Proc. 31st Symposium on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University

31, 55-58
2012/12/05




7 (MISC)会議報告等
共著
Molecular Dynamics Simulation of the Solid-phase Epitaxial Growth of Silicon Germanium Thin Film
Y. Yoshimaru, Y. Matsumoto and Y. Yamamoto
Proc. 31st Symposium on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University

31, 47--50
2012/12/05




8 研究論文(学術雑誌)
共著
Deposition Mechanism and Electrical Property of CeO2 Thin Films by MOCVD with H2O Introduction
N. Taca, T. Izu, T. Kitaru, H. Shimada, S. Suzuki, K. Ishibashi, and Y. Yamamoto
ECS Transactions

41/ 3, 193-199
2011/10/01




9 研究論文(学術雑誌)
共著
Deposition Processes in the Metallorganic Chemical Vapor Deposition of CeO2 Films
M. Suda, M. Ogawa, K. Otsuka, K. Nakamura, T. Izu, T. Morita, S. Suzuki, K. Ishibashi, M. Nakamura, Y. Yamamoto
Journal of The Electrochemical Society

157/ 2, D99-D102
2010/02




10 研究論文(学術雑誌)
共著
Fabrication of CeO2 Films by Chemical Vapor Deposition with a Liquid Metal Organic Source
K. Ishibashi, K. Nakamura, K. Tagui, M. Ogawa, K. Saitoh, S. Suzuki, Y. Yamamoto
ECS Transactions

6/ 1, 251-257
2007/10




11 研究論文(学術雑誌)
共著
The Electrical Property of CeO2 Films Deposited by MOCVD on Si(100) -- Annealing Effects on the Electrical Property --
E. Tagui, K. Nakamura, M. Ogawa, K. Saito, K. Ishibashi, Y. Yamamoto
Electrochemical and Solid-State Letters

10/ 7, D73-D75
2007/04




12 (MISC)会議報告等
共著
Development of Hall effect measurement equipment by AC method
M. Maejima, R. Azeti, K. Watanabe, and Y. Yamamoto
Proc. 24th Symposium on Materials Science and Enginnering, Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University

24, 25--28
2006/03




13 (MISC)会議報告等
共著
Si/Ge multilayers formed by vacuum evaporation and IBIEC
K. Kawakita, K. Morozumi, T. IIzuka and Y. Yamamoto
Proc. 24th Symposium on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University

24, 21--24
2006/03




14 研究論文(学術雑誌)
共著
Chemical Vaper Deposition of CeO2 Using a Liquid Metallorganic Source
H. Ohno, K. Sakurai, K. Tagui, T. Morita, S. Suzuki, K. Ishibashi and Y. Yamamoto
Electrochemical and Solid-State Letters

9/ 3, G87--G89
2006/03




15 (MISC)会議報告等
共著
Fabrication of CeO2 Films on Silicon Substrates by Chemical Vapor Deposition
K.Sakurai, H.Ohno, K.Tagui, T.Morita, S.Suzuki, K.Ishibashi, Y.Yamamoto
Proc. 23rd Symposium on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Techlology, Hosei University

23, 27-30
2005/03




16
共著
The structure of the SiGe alloys formed by ion beam processing
S. Suzuki, T. Echigo and Y. Yamamoto
14th Intern. Conf. on Ion Beam Modification of Materials


2004/09




17 (MISC)会議報告等
共著
Development of an ion beam sputtering system for Si/Ge multi-layer deposition
T.Asada, H.Endo, K.Kawakita, Y.Yamamoto
Proc. 22nd Symposium on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Techlonogy, Hosei University

22, 29-32
2004/03




18 研究論文(学術雑誌)
共著
Nanoscale transformation of sp2 to sp3 of graphite by slow highly charged ion irradiation
T.Meguro, A.Hida, Y.Koguchi, S.Miyamoto, Y.Yamamoto, H.Takai, K.Maeda, Y.Aoyagi
Nucl. Instr. Meth. B

209, 170-174
2003




19 研究論文(学術雑誌)
共著
Modification of highly oriented pyrolytic graphite (HOPG) surfaces with highly charged ion (HCL) irradiation
Y.Koguchi, T.Meguro, A.Hida, H.Takai, K.Maeda, Y.Yamamoto, Y.Aoyagi
Nucl. Instr. Meth. B

206, 202-205
2003




20 研究論文(学術雑誌)
共著
Formation of SiGe alloys using ion beam mixing followd by ion beam induced epitaxial crystallization
N.Kitayara, T.Echigo, T.Otani, Y.Yamamoto
Nucl. Instr. Meth. B

206, 999-1002
2003




21 研究論文(学術雑誌)
共著
N-type(P,Sb) and p-type(B) doping of hydrogenated amorphous Si by reactive rf co-sputtering
Y.Ohmura, M.Takahashi, M.Suzuki, A.Emura, N.Sakamoto, T.Meguro, and Y. Yamamoto
Phys. Stat. Sol. (b)

235/ 1, 111-114
2003




22 (MISC)会議報告等
共著
Monte Carlo simulation for high dose ion implantation including elastic deformation of a target
Shigo Kuroiwa, Yasuhiro Yamamoto
Proc. 21st Symposium on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Techonology, Hosei University

21, 51-56
2003/03




23 (MISC)会議報告等
共著
Formation of SiGe alloys using Recoil Implantation and Ion Beam Induced Epitaxial Crystallization
T.Otani, N.Kitahara, Y.Yamamoto
Proceedings of the 20th symposium on Materials Science and Enginnering, Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University

20, 87-92
2002/03




24 研究論文(学術雑誌)
共著
Creation of nanodiamonds by single impacts of highly charged ions upon graphite
T.Meguro, A.Hida, M.Suzuki, Y.Koguchi, H.Takai, Y.Yamamoto, K.Maeda, Y.Aoya
Appl. Phys. Lett.

79, 3866-3868
2001/12



低速の多荷イオンを用いることにより,高配向性グラファイトの表面電子構造をsp2からsp3に変えることができる.これは,走査型トンネル顕微鏡の観察により明らかになったもので,グラファイトに欠陥を導入することなく局所的な構造変化を引き起こす手段として有効である 共同研究により担当部分の抽出不可
25 研究論文(学術雑誌)
共著
Nanoscale modification of electronic states of graphite by highly charged Ar-ion irradiation
T. Meguro, A. Hida, M. Suzuki, Y. Koguchi, H. Takai, Y. Yamamoto, K. Maeda, Y. Aoyagi
J. Vac. Sci. Technol.

B19(6), 2745-2748
2001/11



低速のAr多荷イオンをグラファイト表面に近づけると,多荷イオンの持つ高いポテンシャルのためグラファイト表面から電子が放出され,これにより表面電子構造がsp2からsp3に変化し,ダイヤモンド的な構造となることが分かった.
26 研究論文(学術雑誌)
共著
Electron-beam-assisted evaporation of epitaxial CeO2 thin films on Si substrates
Tomoyasu Inoue, Yasuhiro Yamamoto, Masataka Satoh
J. Vac. Sci. Technol.

A19(1), 1613-1618
2001/01



Si(100)上にCeO2(110)を真空蒸着法により形成するにあたり、エピタキシャル温度の低減と結晶性の改善に蒸着時電子ビーム照射が効果的である。本論文では、そのために新たに作成した電子ビーム照射装置とその効果について述べ、結晶成長に最適な電子ビームエネルギーを求めている。
27 研究論文(学術雑誌)
共著
Surface morphology analysis in correlation with crystallinity of CeO2(1 ) layers on Si( 0) substrates
T.Inoue, T.Nakamura, S.Nihei, S.Kamata, N.Sakamoto, Y.Yamamoto
J. Vac. Sci. Technol.

A18(4), 1613-1618
2000/07



結晶性の異なるCeO2をSi上に真空蒸着法により形成し、その表面形状を原子間力顕微鏡で観測した。CeO2(110)の表面は(111)面のファセットから構成されている。また、結晶性の悪化とともに不規則なヒロックが増加する。
28 (MISC)その他記事
共著
Low temperature epitaxial growth of CeO2(1 ) Layers on Si( 0) using electron beam assisted evaporation

Thin Solid Films 343~344


1999/08



電子銃を用いて、Si上へCeO2をエピタキシャルに成長させる際、電子ビームを基板上に照射することにより成長温度を100℃以上低減できることを示し、そのための電子ビームエネルギーと電子ビーム電流の最適値を明らかにした。 594~597頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:Tomoyasu Inoue, Yasuhiko Yamamoto, Masakata Satoh
29 (MISC)その他記事
共著
Channeling ion beam induced crystalline quality improvement of epitaxial CeO2 films

Nucl. Instrm and Met., B148


1999/01



Si上にエピタキシャル成長したCeO2にSiおよびCの高エネルギーイオンチャネリング条件で照射し、結晶性改善効果の増進を図った。ランダム入射に比べ、チャネリング条件では核衝突が大幅に減少するので結晶欠陥生成が抑制され、結晶性改善効果が高まることがSi照射の場合に明らかになった。 全5頁(798~802頁)、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:Y.Yamamoto, K.Yamaguchi, M.Taya, M.Muraoka, M.Satoh, T.Inoue
30 (MISC)その他記事
共著
Crystallinity improvement of epitaxial CeO2 films by high-energy ion irradiation

Nucl. Instrum.and Met.,B127/128


1997



Si上にエピタキシャル成長したCeO2 の結晶性が高エネルギーイオンの照射により改善されることを 1x1015 ions/cm2 の 1から4MeVのB、C、OおよびSiイオンの照射と RBS/チャネリング測定から明らかにした。結晶性改善のメカニズムに電子衝突過程が強く関与していることを明らかにした。 全4頁(166~169頁)、共同研究につき本人担当分抽出不可能 共著者:Masataka Satoh, Yasuhiro Yamamoto and Tomoyasu Inoue
31 (MISC)その他記事
共著
EFFECT OF ELECTRON INCIDENCE IN EPITAXIAL GROWTH OF CeO2(1 ) LAYERS ON Si( 0) SUBSTRATES

Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol.474


1997/12



Si上にCeO2を真空蒸着成長する際、電子銃により電子線をSi基板に照射することにより得られる成長温度低減効果を系統的に調べた。 全6頁(166~169頁)、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:Tomoyasu Inoue, Yasuhiro Yamamoto and Masataka Satoh
32 (MISC)その他記事
共著
電子ビーム支援蒸着によるCeO2 (1 )/Si( 0)のエピタキシャル成長

信学技報 CPM97-95


1997/08



電子銃を用いてSi上へCeO2 をエピタキシャル成長させる際、電子ビームを基板上に照射することにより成長温度を低減できることを示した。 全8頁(19~26頁)、共同研究につき本人担当分抽出不可能 共著者:井上知泰、佐藤政孝、山本康博
33 (MISC)その他記事
共著
LOW TEMPERATURE EPITAXIAL GROWTH OF CeO2(1 ) LAYERS ON Si( 0) USING BIAS EVAPORATION

Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol.441


1997/03



電子ビーム蒸着装置を用いてSi上にCeO2を真空蒸着成長する際、基板に正または負のバイアスを印加することによりエピタキシャル温度を低減できる事を明らかにした。 全6頁(166~169頁)、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:Tomoyasu Inoue, Yasuhiro Yamamoto and Masataka Satoh
34 (MISC)その他記事
共著
Thermal Decomposition of CeO2 in Ultra High Vacuum as a Cause of Polycrystalline Growth of Si Films on Epitaxial CeO2 /Si

Jpn. J. Appl. Phys., Part2, Vol.36, No.2A


1997/02



Si上にエピタキシャル成長したCeO2 を超高真空中で熱処理すると 690℃以上で分解し、表面層が非晶質となることが RBS/チャネリング測定と、RHEEDのその場観察から明らかになった。この現象がCeO2 を絶縁材料として用いたSOI構造形成時に阻害要因となる可能性を指摘した。 全3頁(L133~L135頁)、共同研究につき本人担当分抽出不可能 共著者:Yasuhiro Yamamoto, Satoshi Arai, Taketo Matsuda, Masataka Satoh and Tomoyasu Inoue
35 (MISC)その他記事
共著
Surface structure of single-crystal CeO2 layers grown on Si

Thin Solid Films, Vol.281-282


1996



(100)および(111)Si上にエピタキシャル成長させたCeO2 の表面構造を原子間力顕微鏡によって観測した。CeO2 (111)/Si(111)では、表面が(111)面で囲まれた三角錐状の小さなヒロックからなるのに対し、CeO2 (110)/Si(100)面は(110)面で構成される切り妻屋根のような形状となることが分かった。 全4頁(24~27頁)、共同研究につき本人担当分抽出不可能 共著者:Tomoyasu Inoue, Yasuhiro Yamamoto, Masataka Satoh, Atsushi Ide and Shunji Katsumata
36 (MISC)その他記事
共著
Low Temperature Epitaxial Growth of CeO2 (1 )/Si( 0) Structure by Evaporation under Substrate Bias

Jpn. J. Appl. Phys. Part2, Vol.35, No.12B


1996/12



(100)Si上にCeO2 をエピタキシャル成長する際、基板に正または負のバイアスをかけて蒸着を行うと、エピタキシャル温度を低減できることを見出した。磁場によって正イオンと電子の分離を行った結果、エピタキシャル温度低減には、電子入射がより効果的であることが分かった。 全4頁(L1685~L1688頁)、共同研究につき本人担当分抽出不可能 共著者:Tomoyasu Ioune, Yasuhiro Yamamoto and Masataka Satoh
37 (MISC)その他記事
共著
Analysis of Misoriented Crystal Structure by Ion Channeling Observed Using Ion-Induced Secondary Electron

Jpn. J. Appl. Phys. Part2, Vol.35, No.11B


1996/11



NiおよびエピタキシャルCeO2 中の結晶軸方向分布が、2MeVのH+あるいは 3.5MeV/u O8+イオンのチャネリング照射時に発生する2次電子入射角分布測定により感度良く測定できることを示した。 全4頁(L1538~L1541頁)、共同研究につき本人担当分抽出不可能 共著者:Hiroshi Kudo, Akihiko Sakamoto, Shunya Yamamoto, Yasushi Aoki, Hiroshi Naramoto, Tomoyasu Inoue, Masataka Satoh, Yasuhiro Yamamoto, Kenji Umezawa and Seiji Seki
38 (MISC)その他記事
共著
Low temperature epitaxial growth of CeO2(1 ) layers on Si( 0) using bias evaporation

Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol.441


1996/03



電子銃を用いてSi上にCeO2を真空蒸着する際、基板に正または負のバイアスを印加することによりエピタキシャル温度を低減できることを明らかにした。 全6頁(535~540頁)、共同研究につき本人担当分抽出不可能 共著者:Tomoyasu Inoue, Yasuhiro Yamamoto and Masataka Satoh
39 (MISC)その他記事
共著
Computer simulation of defaormed scanning wave effect on dose distribution in ion implantation

Proc. 9th Int. Conv. Ion Beam Modification of Materials


1996/02



ラスタースキャン方式のイオン注入装置において、スキャン用三角波発生装置の周波数特性に高周波限界があるとスキャン波形に周期性のひずみが生じ、その結果イオン注入量の内面分布に周期性が現れることを計算機シミュレーションにより示した。 全4頁(1123~1126頁)、共同研究につき本人担当分抽出不可能 共著者:Yuki Sone, Masataka Satoh and Yasuhiro Yamamoto
40 (MISC)その他記事
共著
No heat assistance crystallinity improvement of epitaxial CeO2 /Si by high energy ion irradiation
Masataka Satoh
Proc. 9th Int. Conf.Ion Beam Modification of Materials

4頁
1996/02



Si上にエピタキシャル成長したCeO2 に、高エネルギーイオンビームを照射すると、基板温度が室温でも結晶欠陥が減少することを見出した。 全4頁(1085~1088頁)、実験結果、論文指導担当 共著者:Masataka Satoh, Yuki Sone, Yasuhiro Yamamoto, Tomoyasu Inoue and Hiroshi Kudo
41 (MISC)その他記事
共著
Morphological Evolution with Layer Thickness in Single Crystal CeO2 (1 )/Si(1 )
Tomoyasu Inoue
Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol.367

6頁
1995/03



(100)Si上の(110)CeO2 エピタキシャル成長において、膜厚の増加とともに、表面形状が山型からメサ型に変化することを示した。 全6頁(323~328頁)、実験指導担当 共著者:Tomoyasu Inoue, Yasuhiro Yamamoto, Masataka Satoh and Tetsu Ohsu
42 (MISC)その他記事
共著
High Sensitivity Channeling Analysis of Lattice Disorder Near Surfaces Using Secondary Electrons Induced by Fast Ion
Hiroshi Kudo 他7名
Jpn. J. Appl. Phys., Vol.34, No.2A

5頁
1995/02



56MeVの O8+イオンをチャネリング条件で結晶に入射した際に発生する keVレンジの2次電子収量が、結晶欠陥に極めて敏感であることを示した。この現象は、従来のラザフォード後方散乱法では測定できない程度の低濃度結晶欠陥の分析に有効である。 全5頁(615~619頁)、RBS測定を担当 共著者:Hiroshi Kudo, Taro Fukusho, Atsushi Tanabe, Toyoyuki Ishihara, Tomoyasu Inoue, Masataka Satoh, Yasuhiro Yamamoto and Seiji Seki
43 (MISC)その他記事
共著
Electrical Characteristics of Metal/Cerium Dioxide/Silicon Structures
Tatsuo Nakazawa 他3
Jpn. J. Appl. Phys., Vol.34, No.2A

6頁
1995/02



Au/CeO2 /Si構造の電気的特性を C-V法を用いて測定した。試料のMOS特性はCeO2 の方位や基板Siの伝導タイプによらず、CeO2 の結晶性で決まることが明らかにされた。単結晶のCeO2 では特性に、負イオンやキャリア注入による異常が見られず、良好な界面状態であることが分かった。測定された比誘電率は、約20であり、バルクの値として報告されている値に近い。 全6頁(548~553頁)、研究計画立案、実験指導、論文指導を担当 共著者:Tatsuo Nakazawa, Tomoyasu Inoue, Masataka Satoh and Yasuhiro Yamamoto
44 (MISC)その他記事
共著
PIXE Analysis of Ancient Earthenware (Middle Jomon Period) Excavated at Terame Site in Fukushima Prefecture
H.Hamanaka 他3名
Int. J. PIXE, Vol.4, No.1

7頁
1994



縄文中期遺跡である、福島県寺前遺跡から出土した古代土器を、粒子誘導X線分光法により分析した。遺跡付近から採取した粘土を同時に分析し、比較した結果、寺前遺跡土器は、付近で採取された粘土を用いて作られたものでは無いことが推定される。 全7頁(29~35頁)、実験指導、論文指導を担当 共著者:H.Hamanaka, G.Ito, J.Ogura, Y.Yamamoto
45 (MISC)その他記事
共著
Quantitative Analysis of Oxygen Deficiency in Epitaxial CeO2 Layers on Si By Detecting18O Added for Stoichiometry
Tomoyasu Inoue
Jpn. J. Appl. Phys., Vol.33, No.5B

3頁
1994/05



超高真空での蒸着により作成したSi上のCeO2 膜は酸素不足の状態となる。化学量論的組成のCeO2 を形成するには、どの程度の酸素を外部から導入する必要があるかを18O2 ガスを導入した雰囲気中で蒸着を行い、CeO2 中の18Oと16Oの比を2次イオン質量分析法で求めることにより明らかにした。 全3頁(L751~L753頁)、実験指導、論文指導を担当 共著者:Tomoyasu Inoue, Yasuhiro Yamamoto, Masataka Satoh, Takahiro Hoshi and Kenji Miyoshi
46 (MISC)その他記事
共著
STUDY ON EPITAXIAL GROWTH OF CeO2 (1 )/Si( 0) IN CONJUNCTION WITH SUBSTRATE OFF-ORIENTATION
Tomoyasu Inoue 他5
Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol.341

6頁
1994/03



(100)Si上にCeO2 をエピタキシャル成長させる際、<110>方向に僅かに傾斜した(100)Si基板を用いることにより、成長層の結晶性が大幅に改善されることを示した。 全6頁(101~106頁)、実験指導担当 共著者:Tomoyasu Inoue, Yasuhiro Yamamoto, Masataka Satoh, Tetsu Ohsuna, Hiroaki Myoren and Tsutomu Yamashita
47 (MISC)その他記事
共著
Crystallographic Analysis of (1 ) CeO2 /( 0)Si using RBS/Channeling Technique
M.Satoh 他5名
Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol.312

6頁
1993/12



チャネリング現象を利用したラザフォード後方散乱法により、(100)Siにエピタキシャル成長させたCeO2 薄膜の、基板Siとの方位関係を明らかにした。 全6頁(309~314頁)、研究計画立案、実験指導、論文執指導担当 共著者:M.Satoh, Y.Yamamoto, S.Nakajima, Y.Sakurai, T.Inoue and T.Ohsu
48 (MISC)その他記事
共著
Stripe-shaped facetted morphology and domain structure of epitaxial CeO2 (1 ) layers on Si( 0) substrates
T.Inoue 他5名
J. Crys. Growth, Vol.131

5頁
1993/05



テクスチャ構造を持つ(100)Si上の(110)CeO2 エピタキシャル層が(111)面で構成されるファセット構造であることを、超高分解能透過型顕微鏡による断面観察により明らかにした。また、テクスチャ構造の内互いに平行なものは、ファセット構造にもかかわらず、結晶として連続であることを平面透過型電子顕微鏡による観察から明らかにした。 全5頁(347~351頁)、研究計画立案、論文指導を担当 共著者:T.Inoue, T.Ohsuna, Y.Obara, Y.Yamamoto, M.Satoh and Y.Sakurai
49 (MISC)その他記事
共著
Intermediate Amorphous Layer Formation Mechanism at the Interface of Epitaxial CeO2 Layers and Si Substrates
T.Inoue 他5名
Jpn. J. Appl. Phys., Vol.32, No.4B

3頁
1993/04



Si基板上へのCeO2 エピタキシャル成長時にCeO2 /Siの界面に形成される非結晶質層の形成メカニズムを、高分解能透過型電子顕微鏡による観察とオージェ電子分光法による深さ方向組成分析の結果より考察した。界面の非結晶質層はSiO2 であり、CeO2で成長中に外界よりCeO2 中を拡散する酸素によって、界面のSiが酸化されることに形成されることを明らかにした。 全3頁(1765~1767頁)、研究計画立案、成長膜評価、論文指導を担当 共著者:T.Inoue, T.Oshuna, Y.Obara, Y.Yamamoto, M.Satoh and Y.Sakurai
50 (MISC)その他記事
共著
RBS/Channeling Study of the Crystallographic Correlation for Epitaxial CeO2 on Si
Y.Yamamoto 他5名
Jpn. J. Appl. Phys., Vol.32, No.4B

3頁
1993/04



(100)Si上に成長するCeO2 単結晶の、基板とのエピタキシャル関係をHeのチャネリング現象を利用した、ラザフォード後方散乱法測定により明らかにした。エピタキシャル成長層はダブルドメイン構造を有し、基板とは[001]CeO2 ∥[011]Siおよび[110]CeO2 ∥Siの関係にあるが、CeO2 の(110)面はSiの(100)面に並行である。 全3頁(L620~L623頁)、研究計画立案、実験指導、論文執筆を担当 共著者:Y.Yamamoto, M.Satoh, Y.Sakurai, S.Nakajima, T.Inoue and T.Oshuna
51 (MISC)その他記事
共著
Position-sensitive X-ray Detector System for High Resolution PIXE Measurements
H.Hamanaka 他2名
Int. J. PIXE, Vol.2, No.3

6頁
1992



粒子線誘導放射 X線のエネルギースペクトルを高分解能で測定する為に、炭素繊維を陽極とする位置敏感型比例計数管と測定電子回路系を作成した。この位置敏感型比例計数管は、従来の市販品に比べ、大きさが十分の一程度と小さく、位置測定の線形性と均一な感度分布を備えている。 全6頁(263~268頁)、実験指導、論文指導を担当 共著者:H.Hamanaka, K.Hasegawa and Y.Yamamoto
52 (MISC)その他記事
共著
Texture Structure Analysis and Crystalline Quality Improvement of CeO2(1 ) Layers Grown on Si( 0) Substrates
T.Inoue 他8名
Jpn. J. Appl. Phys., Vol.31, No.12B

4頁
1992/12



(100)Si上にエピタキシャル成長させた(110)CeO2が互いに直交する縞構造を取ることを高分解能走査型電子顕微鏡の観察により明らかにした。直交する縞の面積比は、基板Siの僅かな傾きに大きく依存する。実検結果より基板の(100)Siと、CeO2成長層とのエピタキシャル関係を示すモデルを提唱した。 全4頁(L1736~1739頁)、研究計画立案、成長膜評価、論文指導を担当 共著者:T.Inoue, T.Oshuna, Y.Yamada, K.Wakamatsu, Y.Itoh, T.Nozawa, E.Sasaki, Y.Yamamoto and Y.Sakurai
53 (MISC)その他記事
共著
Orientation Dependent Epitaxial Growth of CeO2 Layers on Si Substrates
T.Inoue 他6名
Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol.237

6頁
1992/12



Si上に超高真空中蒸着により堆積したCeO2薄膜の結晶方位と、基板Siの結晶方位の関係を明らかにした。 全6頁(589~594頁)、研究計画立案、成長膜評価、論文指導担当 共著者:T.Inoue, T.Ohsuna, Y.Yamamoto, Y.Sakurai, L.Luo, X.D.Wu and C.J.Maggiore
54 (MISC)その他記事
共著
Study of Surface Processes in the Digital Etching of GaAs

Jpn. J. Appl. Phys., Vol.31, No.7


1992/07



塩素ラディカルと低エネルギーアルゴンイオンビームの交互供給によるGaAsディジタルエッチング機構の表面化学過程を実験結果より考察した。塩素ラディカルの供給時間が長くなると、アルゴンイオンビームを照射してもエッチングが起こらない不感時間がある事が分かった。エッチング速度はアルゴンイオンビーム照射量とともに最初は増加するが、やがて一定値に飽和する。このエッチング自己制御性は、反応速度方程式によって説明できることを示した。 全4頁(2212~2215頁)、実験指導、理論考察、論文指導を担当 共著者:Masashi Ishii, Takashi Meguro, Hirokazu Kodama, Yasuhiro Yamamoto and Yoshinobu Aoyagi
55 (MISC)その他記事
共著
Reaction Processes in Digital Etching

Proc. 1st Int. Conf. IntelligentMaterials

4頁
1992/03



塩素ラディカルとアルゴンイオンビームの交互供給による、GaAsのディジタルエッチング反応機構を論じている。反応速度方程式により、エッチングの自己停止機構を説明できることを示した。 全4頁(53~56頁)、研究指導、論文指導担当 共著者:M.Ishii, H.Kodama, T.Meguro, Y.Aoyagi and Y.Yamamoto
56 (MISC)その他記事
共著
Growth of (1 )-oriented CeO2 layers on ( 0) silicon substrates

Appl. Phys., Lett. Vol.59, No.27

3頁
1991/12



(100)シリコン上に真空蒸着法により形成したCeO2層は(110)方位を有することを X線回折により明らかにした。エピタキシャル成長時の原子配列モデルを提唱するとともに、シリコンと CeO2の界面に SiO2と思われる非結晶質層が存在することを明らかにした。 全3頁(3604~3606頁)、後方散乱法実験と論文指導を担当 共著者:T.Inoue, T.Ohsuna, L.Lou, X.D.Wu, C.Maggiore, Y.Yamamoto, Y.Sakurai and J.H.
57 (MISC)その他記事
共著
Low-temperature epitaxial growth of cerium dioxide layers on (111) silicon substrates

J. Appl. Phys., Vol.69, No.12

3頁
1991/06



(111)シリコン上の CeO2エピタキシャル層の成長温度依存性を測定した。超高真空中の蒸着により摂氏150度から900度という広い温度範囲で単結晶が成長することがチャネリングを併用した後方散乱法と高エネルギー電子線回折法により確認された。 全3頁(8313~8315頁)、後方散乱法実験を担当 共著者:T.Inoue, M.Osonoe, H.Tohda, M.Hiramatsu, Y.Yamamoto, A.Yamanaka and T.Nakayama
58 (MISC)その他記事
共著
ATOMIC LAYER EPITAXY OF A1As AND AlGaAs

J. Cryst. Growth, 99


1990



トリエチルアルミニウムとアルシンユウを用い、アルゴンレーザー照射アシストによる有機金属気相エピタキシャル成長法によって、アルミニウムヒ素の原子層エピタキシャル成長に成功した。 全5頁(540~544頁)、結晶成長実験指導を担当 共著者:T.MEGURO, S.IWAI, Y.AOYAGI, K.OZAKI, Y.YAMAMOTO, T.SUZUKI, Y.OKANO and A.HIRATA
59 (MISC)その他記事
共著
APPLICATION OF A CHARGEDEVISION,POSITION-SENSITIVE PROPORTIONAL COUNTER TO HIGH-RESOLUTION PIXE MEASURMENTS

International Journal of PIXE, Vol.1, No.2


1990



炭素ファイバーをアノードとした電荷分割式位置敏感型比例計数管と信号処理装置を開発した。この計数管は小型であり、直線性に優れ、真空中での使用が可能である。結晶分光器と組み合わせることにより、粒子誘導X線放射測定を、SiのK‐α線の場合で4+eVという高分解能で行うことが可能である。 全6頁(141~146頁)、比例計数管の制作、粒子誘導X線放射測定、論文整理を担当 共著者:HIROMI NAMANAKA, KEN-ICHI HASEGAWA and YASUHIRO YAMAMOTO
60 (MISC)その他記事
共著
Improvement of the Energy Resolution and the S/N Ratio of a Crystal Spectrometer combined with a Position-sensitive Proportional Counter for PIXE

Nucl. Instr. & Meth., B45


1990



粒子誘導X線放射検出における、結晶分光器と位置敏感型比例計数管を組み合わせた検出システムの、分解能向上とバックグラウンド低減を、イオンビームサイズの縮小と、分光結晶からの散乱を制限することで達成した。従来に比べ、分解能が約6割向上する。 全4頁(360~363頁)、実験および論文整理を担当 共著者:H.Hamanaka, M.Okane and Y.Yamamoto
61 (MISC)その他記事
共著
Layer-By-Layer Controlled Digital Etching by Means of an Electron-Beam-Excited Plasma System

Jpn. J. Appl. Phys., Vol.29, No.10


1990/10



電子ビーム励起プラズマシステムでのGaAsのディジタルエッチング特性について報告している。Clラディカルとアルゴンイオンを続けてGaAs上に照射することにより、1サイクル当たり0.5原子層のエッチング速度が得られた。エッチング断面は急峻であり、エッチング面は平坦である。 全4頁(2216~2219頁)、実験指導を担当 共著者:Takashi Meguro, asashi Ishii, Hirokazu Kodama, Manabu Hanagaki, Tamio Hara, Yasuhiro Yamamoto and Yoshinobu Aoyagi
62 (MISC)その他記事
共著
Digital etching of GaAs: New approach of dry etching to atomic ordered processing

Appl. Phys. Lett., Vol.56, No.16


1990/04



GaAsをドライエッチングする新しい手法として、ディジタルエッチングを提唱した。C12ガスの導入排出と電子ビームの照射を1サイクルとして繰り返すことにより、サイクルあたり1/3モノレイヤーのエッチングが出来ることを示した。 全3頁(1552~1554頁)、実験指導を担当 共著者:T.Meguro, M.Hamagaki, S.Modaressi, T.Hara, Y.Aoyagi, M.Ishii and Y.Yamamoto
63 (MISC)その他記事
共著
Epitaxial growth of CeO2 layers on silicon

Appl. Phys. Lett., Vol.56, No.14


1990/04



真空蒸着法により、CeO2が(100)および(111)Si上にエピタキシャル成長することを見いだした。後方散乱法および高エネルギ-電子線回析法により、(111)Si上のCeO2層は(100)に比べ結晶性に優れていることが分かった。 全2頁(1332~1333頁)、後方散乱測定と論文の仕上げを担当 共著者:T.Inoue, Y.Yamamoto, S.Koyama, S.Suzuki and Y.Ueda
64 (MISC)その他記事
共著
High-resolution PIXE with crystal spectrometer and positionsensitive proportional counter

Vacuum, Vol.39, No.2-4


1989



粒子誘導X線放射を検出するため、結晶分光器と位置敏感型比例計数管を組み合わせたシステムを開発した。Si K-α線の3つのサイテライトピークが明確に分離検出でき、本システムが重いマトリックス中の軽元素の検出に有効であることが分かった。 全4頁(97~100頁)、粒子誘導X線放射実験を担当 共著者:K.Ishii, H.Hamanaka, S.Morita, M.Ohura, Y.Yamamoto and Y.Awaya
65 (MISC)その他記事
共著
SILICIDE FORMATION AND THERMAL STABILITY OF Ni/Si/GaAs INTERFACE

Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol.160


1989/12



Ni/Si/GaAs構造を真空蒸着により形成し、処理することによってニッケルシリサイドを形成したときの界面の安定性を調べた。ニッケルとシリコンが化学量的組成に一致するときはGaAsとの界面は熱的に安定であるが、ニッケルが過剰のときは界面が不安定になり、GaAsとの間で相互拡散を起こすことが分かった。 全4頁(337~340頁)、実験および論文執筆を担当 共著者:Y.Yamamoto, K.Ishibashi, S.Suzuki and T.E.Shim
66 (MISC)その他記事
共著
Surface processes in laser-atomic layer epitaxy of GaAs

J. Cryst. Growth 190


1988



原料ガスとしてトリエチルガリウムとアルシンを用いるGaAsのエピタキシャル成長において、可視光レーザービーム照射により、原子層成長が制御できることが分かった。原子層成長のメカニズムとして“サイト選択性分解”を提唱した。 全5頁(190~194頁)、実験指導を担当 共著者:T.Meguo, T.Suzuki, K.Ozaki, Y.Okano, A.Hirata, Y.Yamamoto, S.Iwai, Y.Aoyagi and S.Namba
67 (MISC)その他記事
共著
Quantitative Analysis of Phosphorus in Amorphous Silicon using PIXE with a Crystal Spectrometer and PSPC

Nucl. Instr. & Meth.,B35


1988



結晶分光器と位置敏感型比例計数管を組み合わせた粒子誘導X線放射検出法を開発し、非晶質シリコン中の燐不純物を高精度で定量分析する手法を確立した。 全5頁(75~79頁)、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:H.Hamanaka, M.Ohura, Y.Yamamoto, S.Morita, K.Iwamura and K.Ishii
68 (MISC)その他記事
共著
X-RAY PRODUCTION BY CHANNELING IONS

Nucl. Instr. Meth. A262


1987



シリコンおよびSOS(Silicon on Sapphire)試料に0.5-2.0MeVの陽子および0.25-0.6MeV/amuのヘリウムイオンをチャネリング条件で照射した時に発生する連続エックス線を測定し、インパクトパラメータ依存性を議論した。 全4頁(137~140頁)、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:M.Ohura, K.Ozawa, J.H.Chang, Y.Yamamoto, S.Morita and K.Ishii
69 (MISC)その他記事
共著
Recoil implantation of Si to GaAs by As ion bombardment

Nucl. Instr. Meth., B19/20


1987



GaAs上に蒸着したSi膜の上からAsイオンを照射し、SiをリコイルによってGaAs中に導入することにより高濃度のn型層を形成できることを示した。また、導入されたSiおよびリコイルされたAs、Gaの分布をモンテカルロ法による計算により示した。 全6頁(392~397頁)、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:Y.Yamamoto, S.Fujimam, H.Takada, Y.Segawa, K.Ishibashi, T.E.him, T.Itoh and S.Suzuki
70 (MISC)その他記事
共著
Annealing effect for heavily Sn-implanted GaAs

J. Appl. Phys., Vol.61, No.9


1987/05



無添加のGaAsにSnイオンを注入し、熱処理を行った後の電気的、結晶学的特性を、後方散乱/チャネリング法、透過電子顕微鏡およびホール効果の測定によって調べた。チャネリング測定によれば、注入されたSn原子の35-88%が格子位置を占めるが、電気的に活性化するのは3%に過ぎないことが分かった。 全5頁(4635~4639頁)、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:T.E.Shim, T.Itoh and Y.Yamamoto
71 (MISC)その他記事
共著
Characterization of WNx/GaAs Schottky contacts formed by RF sputtering

Jpn. J. Appl. Phys., Vol.26, No.1


1987/01



反応性スパッタリング法で作成されたWNx/GaAsショットキー接触の構造的、電気的特性を測定し、その特性がWNx作製時の窒素分圧に強く依存することを示し、GaAsMESFETにおいて、熱的に安定なショットキー接触を作製する条件を見出した。 全8頁(122~129頁)、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:H.Yamagishi and Y.Yamamoto
72 (MISC)その他記事
共著
Diffusion of boron in Mo silicide film

J. Appl. Phys., Vol.59, No.12


1986/06



モリブデンシリサイド中の硼素拡散を電気炉中およびハロゲンランプによる高速高温アニールの場合に付いて調べた。高音短時間のアニールによりモリブデンシリサイド中の拡散係数および固溶度が低下することが明らかになった。 全4頁(4186~4189頁)、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:J.Kato, A.Fujisawa, M.Asahina, H.Shimura and Y.Yamamoto
73 (MISC)その他記事
共著
Atomic Broemsstrahlung produced by light-ion-atom collisons below 1 MeV/amu

Phys. Rev. A, Vol.59, No.12


1986/05



1MeV/amu以下の低エネルギーイオン照射によってアルミニウムから発する連続X線スペクトルを原子制動幅射機構を取り入れたモデルによって説明した。 全3頁(3018~3022頁)、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:K.Ozawa, J.H.Chang, Y.Yamamoto, S.Morita and K.Ishii
74 (MISC)その他記事
共著
Rapid annealing of tungsten polycide films using halogen lamps

J. Elecrochem. Soc., Vol.133, No.4


1986/04



Siリッチのタングステンポリサイドフィルムの短時間アニール特性をRBS、SIMSおよび電気特性測定から評価した。高温アニールによりタングステンポリサイドフィルムの組成がストイキオメトリに近付くことを示した。 全3頁(541~543頁)、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:J.Kato, M.Asahina, H.Shimura and Y.Yamamoto
75 (MISC)その他記事
共著
Si film as an annealing cap for Si-implanted GaAs

Appl. Phys. Lett., Vol.48, No.10


1986/03



GaAsのアニーリングキャップとして真空蒸着シリコンが極めて効果的であることをRBS、TEMおよびホール効果測定からSi注入の場合に付いて明らかにした。 全3頁(1315~1317頁)、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:T.E,Shin, T.Itoh, Y.Yamamoto and S.Suzuki
76 (MISC)その他記事
共著
Electrical and crystallographic evaluation of SOS implanted with silicon and/or oxygen

Nucl. Instr. Meth., B7/8


1985



SOS(Silicon on Sapphire)のイオン注入と熱処理による結晶性改善では酸素とシリコンの室温での2重注入が効果的であり、これにより結晶性の改善と同時にAlのゲッタリングによるモビリティ改善を行われることを示した。 全5頁(273~277頁)、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:Y.Yamamoto, H.Kobayashi and T.Inada
77 (MISC)その他記事
共著
Influence of implantation induced damage in sapphire upon improvement of crystalline quality of silicon on sapphire

Appl. Phys. Lett., Vol.47, No.12


1985/12



Siイオン注入と熱処理によるSOSの結晶性改善でイオン注入がサファイア基板に与えるダメージの量と結晶性改善の程度との関係を明らかにした。 全3頁(1315~1317頁)、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:Y.Yamamoto, H.Kobayashi, T.Takahashi and T.Inada
78 (MISC)その他記事
共著
Crystalline quality improvement of silicon on sapphire film by oxygen implantation and subsequent thermal annealing

J. Appl. Phys., Vol.52, No.1


1982/01



酸素イオンを用いてSOS(Silicon on Sapphire)の界面付近シリコン層を非晶質科し、その後の熱処理によって良質のシリコン層を得るためには、酸素イオンのドースを下げるために、低温でのイオン注入が必要であること、および酸素イオン注入と熱処理を行った試料とこれらの操作を行わない試料では、シリコン中の結晶欠陥の種類が異なることをRBS測定によって明らかにした。 全6頁(793~795頁)、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:Y.Yamamoto, T.Sugiyama, A.Hara and T.Inada
79 (MISC)その他記事
共著
Pulsed electron beam annealing of arsenic implanted silicon

J. Appl. Phys., Vol.52, No.1


1982/01



1.0J/cm2のパルス電子ビームをヒ素イオン注入したシリコンに照射し、結晶欠陥の無い高濃度のn型層を得た。電子ビーム照射後の試料を電気炉中で熱処理すると、2次的な結晶欠陥が生成し、n型層キャリア濃度が低下して熱平衡状態に近づくことを、RBS、TEMおよび電気特性の測定から明らかにした。 全8頁(276~283頁)、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:Y.Yamamoto, T.Inada, T.Sugiyama and S.Tamura
80 (MISC)その他記事
単著
Automatic beam alignment for channeling measurements in Rutherford backscattering spectrometry

Nucl. Inst. Methods Vol.1.190, No.1


1981/11



RBS法においてチャネリング実験を行う際に必要な、結晶軸方向とビーム入射方向を一致させるためのアルゴリズムを煮晶系の<111>および<100>軸について確立し、これを用いて軸合わせを自動的に行うためのシステムおよび計算機ソフトウェアを構築した。このシステムを用いて軸合わせを行った例を示した。 全6頁
81 (MISC)その他記事
共著
Accepter implantation in Fe-doped semi-insulating iondium phosphide

J. Appl. Phys., Vol.52, No.11


1981/11



Feドープの半絶縁性InPにMgあるいはZイオンを注入した後、アニールを行って、RBS法およびホール測定によって結晶学的および電気的な振舞を観測した。アニール後に注入で生じた非晶質層は消滅するが、結晶欠陥が残存し、表面に電気的な不活性層が生じることを見出した。 全7頁(6623~6629頁)、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:T.Inada, S.Taka and Y.Yamamoto
82 (MISC)その他記事
共著
Selenium Implantation in Indium Phosphide

J. Appl. Phys., Vol.52, No.7


1981/07



Feドープの半絶縁性InPの表面にn型層を形成するためにSeイオンを注入した。注入によって生じた非晶質層が700℃以上のアニールによって消滅することをRBS法で観測した。ホール測定によるプロファイリングにより、100keVのイオン注入と700℃のアニールにより2x1019/cm2のn型層が形成されたことを観測した。 全3頁(4863~4865頁)、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:T.Inada, S.Taka and Y.Yamamoto
83 (MISC)その他記事
共著
Low resistance ohmic contacts containing Sb to GaP

Solid‐St.Electron., Vol.23


1980



p型GaPのオーミック電極材料としてAu‐Sb、n型GaPオーミック電極材料としてAu‐Ge‐NiとAu‐Ge‐Ni‐Sbの各々についてコンタクト抵抗を比較測定した。いずれの場合もSbを加えるとコンタクト抵抗が減少することを見出した。また、コンタクト抵抗を最小にするSbの量と熱処理温度を報告した。 全2頁(4863~4865頁)、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:T.Inada, S.Taka and Y.Yamamoto
84 (MISC)その他記事
共著
A metallurgical investigation of the Au-Sb and Au-As systems

Thin Solid Films Vol.60


1979



GaAsへのオーミックコンタクトを形成する際にアンチモンを加えるとコンタクト抵抗が低下するが、このアンチモンの働きを調べるために、金-アンチモン、金-ヒ素の系における固相反応の過程をRBS法を用いて観測した。その結果から、コンタクト材料にアンチモンを加えるとGaSbAsが形成され得ることを指摘した。 全9頁(123~131頁)、実験と論文執筆を担当 共著者:Y.Yamamoto and K.G.Stephens
85 (MISC)その他記事
共著
Gettering effect by oxygen implantation in SOS

Appl. Phys. Lett., Vol.34, No.6


1979/03



単結晶サファイアの上に堆積した単結晶シリコン(SOS)には、ヘテロエピタキシャル成長に基づく多数の欠陥が存在するが、この界面付近に酸素イオンを注入して界面付近を非晶質科し、熱処理を行うと結晶回復が表面側から奥に向かって進行する過程で欠陥が除去され質の良いシリコン層が得られることを見出だした。 全3頁(403~405頁)、実験と論文執筆を担当 共著者:Y.Yamamoto,I.H.Wilson and T.Itoh
86 (MISC)その他記事
共著
Spacially varied activation of ionimpanted As during the regrowth of amorphous layer in Si

Jpn. J. Appl. Phys., Vol.49, No.6


1978/06



シリコンにヒ素をイオン注入し、500~600℃でアニールすると、注入したヒ素の活性化が、イオン注入によって生じた非晶質層の回復と同様に、基板シリコンの深い部分から表面側に向かって進行することを、RBS法およびHall測定によって明らかにした。 全3頁(3597~3599頁)、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:Y.Ohmura, T.Inoue and Y.Yamamoto
87 (MISC)その他記事
共著
Automatic angular distribution measuring system in Rutherford backscattering analysis

Jpn. Appl. Phys., Vol.16, No.11


1977/01



RBS法においてチャネリング実験を行う際に必要な、RBSイールドのビーム入射角依存性を自動的に測定するシステムを構成した。これは、ゴニオメータを駆動するパルスモータとRBS測定系のゲート回路をシーケンシャルに制御するものである。全2頁(213~214頁)、システムの設計と論文執筆を担当 共著者:Y.Yamamoto, H.Enami, T.Itoh and T.Inoue
88 (MISC)その他記事
共著
Problem in thin film backscattering spectrum edge determination

Jpn. J. Appl. Phys., Vol.15, No.11


1976/11



RBS法を用いて薄膜試料の分析を行う時、スペクトルの高エネルギ-端の現れる位置が測定計のエネルギー分解能によって影響を受けることを指摘した。さらに,この影響の程度を計算機によって理論解析し、銀の薄膜試料に対する実験結果と比較検討した。 全2頁(2285~2286頁)、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:Y.Yamamoto and T.Itoh
89 (MISC)その他記事
共著
Backscattering measurment on Ag photodoping effect in As2S3 glass

J. Appl. Phys., Vol.47, No.8


1976/08



As2S3ガラスに銀を蒸着し、紫外線を照射すると銀がAs2S3内に拡散する(光ドーピング)現象をRBS法を用いて観測し、拡散した銀の濃度は通常の熱拡散の場合と異なり、ある深さまでは一定で、その後急激に減少することを明らかにした。また、銀蒸着前にAs2S3に紫外光を照射すると拡散が増速されることを見いだした。 全6頁(3603~3608頁)、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:Y.Yamamoto, T.Itoh, Y.Hirose and H.Hirose
90 (MISC)その他記事
共著
Damage in the surface region of silicon produced by sputter-etching

Jpn. J. Appl. Phys., Vol.13, No.3


1974/03



アルゴン雰囲気中のRFスパッタエッチングによって、シリコン中にアルゴン原子が導入されるとともに、シリコンに結晶欠陥が生じることをRBS測定によって明らかにした。さらに、導入されたアルゴン原子および結晶欠陥は1000℃程度のアニールによって排除されるが、スパッタエッチ後のシリコン表面は酸化されやすいことを明らかにした。 全2頁(551~552頁)、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:Y.Yamamoto, K.Shinada, T.Itoh and K.Yada