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法政大学 
理工学部 
電気電子工学科 

教授 
山本 康博 
ヤマモト ヤスヒロ 
YAMAMOTO Yasuhiro 



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更新日:2016/11/10 

経歴
早稲田大学理工学研究所嘱託  1977/04/01-1980/03/31 
イギリスサリー大学研究員  1977/10/01-1978/09/30 
法政大学イオンビーム工学研究所研究助手  1980/04/01-現在 
法政大学イオンビーム工学研究所専任講師  1982/04/01-現在 
法政大学イオンビーム工学研究所助教授  1984/04/01-現在 
法政大学イオンビーム工学研究所長   1992/04/01-1994/03/01 
法政大学イオンビーム工学研究所教授  1992/04/01-1994/03/31 
法政大学工学部教授(「電子材料工学」担当)  1994/04/01-2011/03/31 
法政大学大学院工学研究科電気工学専攻兼担教授(「電子材料工学特論」担当)  1994/04/01-現在 
法政大学工学部長  2010/04/01-2011/03/31 
法政大学大学院工学研究科長  2011/04/01-2012/03 
法政大学理工学部教授  2011/04/01-現在 

学歴
早稲田大学  理工学部  電気通信学科  1971/03  卒業 
早稲田大学大学院  理工学研究科  電機工学専攻  博士前期  1973/03 
早稲田大学大学院  理工学研究科  電気工学専攻  博士後期  1977/03  単位取得満期退学 

学位
工学博士  早稲田大学  1977/12 

研究分野
薄膜・表面界面物性 
電子・電気材料工学 

研究キーワード
薄膜半導体 
イオンビーム誘起結晶化 
高誘電体薄膜 
化学的気相成長法 

著書
固体表面分析 Ⅱ  荒賀年美 他19名  総頁数584頁 24頁  講談社  1995/04  固体表面状態を観察、分析する種々の手法について、それぞれの手法の専門家が分筆したものをまとめたものである。 全584頁中、第9章「ラザフォード後方散乱法」(433~456頁)を担当 編者:大西孝治、堀池靖浩、吉原一紘 共著者:荒賀年美、安藤寿浩、石田英之、伊藤正時、工藤昭彦、酒井明、坂上弘之、佐藤洋一郎、鈴木茂、田中浩三、田中繁夫、堂免一成、内藤周武、野村淳子、服部健雄、堀池靖浩、本間芳和、森田清三、山本康博 
表面と薄膜分析技術の基礎  海文堂  1992/06  L.C.Feldman and J.W.Mayer著の“Fundamental of Surface and Thin Film Analysis”の訳であり、イオンビームやX線を用いた表面分析技術の解説書である。 全353頁中、第1から5章および第11章を担当 共著者:栗山一男、山本康博 
APPLICATION OF ION BEAMS IN MATERIALS SCIENCE  法政大学出版局  1988/05  法政大学イオンビーム工学研究所および法政大学工学部主催の第12回法政大学国際シンポジウム“Application of Ion Beams in Materials Science”のProceedings編集。 全531頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:T.Sebe and Y.Yamamoto 
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論文
研究論文(大学,研究機関紀要)  共著  Crystallization Properties of CeO2 Thin Films Deposited by MOCVD with Additional TEOS Introduction  T. Furuya, T. Sato, T. Matsumura, Y. Okabe, S. Suzuki, K. Ishibashi  Proc. 33rd Sympos. Mat. Sci. and Eng., Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University  33, 70-76  2015/03/01 
研究論文(学術雑誌)  共著  Normally-off GaN MOSFETs with high-k dielectric CeO2 films deposited bhy RF sputtering  Hiroki Ogawa, Takuya Okazaki, Hayao Kasai, kenta Hara, Yuki Notani, Yasuhiro Yamamoto and Tohru Nakamura  Physica Status Solidi C  11/ 2, 302-306  2014/02 
研究論文(大学,研究機関紀要)  共著  Electrical Properties of Al Doped CeO2 Thin Films Deposited by O2 Introduced Ar Sputtering  Y. Notani, T. Okazaki, K. Hara, T. Osawa, K. Hibino, S. Suzuki, K. Ishibashi and Y. Yamamoto  Proc. 32nd Symposium on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University  32, 52-57  2013/12/04 
研究論文(大学,研究機関紀要)  共著  Effect of O2 Introduction Property of Al Doped CeO2 Films Deposited by Sputtering Method  K. Hara, T. Okazaki, Y. Notni, T. Osawa, K. Hibino, S. Suzuki, K. Ishibashi and Y. Yamamoto  Proc. 32nd Symposium on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University  32, 46-51  2013/12/04 
研究論文(学術雑誌)  共著  Regrowth characteristics of SiGe/Si by IBIEC and SPEG  K. Awane, Y. Kokubo, M. Yomogida, T. Nishimura and Y. Yamamoto  Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B  307, 399-403  2013/04 
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担当授業科目
電子材料工学基礎 
電子材料工学特論 I 
電子材料基礎物性 
電子材料工学特論 II 
電子材料工学 
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所属学協会
The Bohmische Physical Society 会員 
アメリカ Materials Research Society 
応用物理学会 会員 
応用物理学会講演会分科世話人 
アメリカ物理学会員 
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