日本語
Hosei University 
Faculty of Science and Engineering 
Department of Electrical and Electronics Engineering 

Professor 
YAMAMOTO Yasuhiro 



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Update:2016/11/10 

Career
早稲田大学理工学研究所嘱託  1977/04/01-1980/03/31 
イギリスサリー大学研究員  1977/10/01-1978/09/30 
法政大学イオンビーム工学研究所研究助手  1980/04/01-Present 
法政大学イオンビーム工学研究所専任講師  1982/04/01-Present 
法政大学イオンビーム工学研究所助教授  1984/04/01-Present 
法政大学イオンビーム工学研究所長   1992/04/01-1994/03/01 
法政大学イオンビーム工学研究所教授  1992/04/01-1994/03/31 
法政大学工学部教授(「電子材料工学」担当)  1994/04/01-2011/03/31 
法政大学大学院工学研究科電気工学専攻兼担教授(「電子材料工学特論」担当)  1994/04/01-Present 
法政大学工学部長  2010/04/01-2011/03/31 
法政大学大学院工学研究科長  2011/04/01-2012/03 
法政大学理工学部教授  2011/04/01-Present 

Academic background
早稲田大学  理工学部  電気通信学科  1971/03  Graduated 
早稲田大学大学院  理工学研究科  電機工学専攻  Doctor prophase  1973/03 
早稲田大学大学院  理工学研究科  電気工学専攻  Doctor later  1977/03  Withdrawn after completion of required course credits 

Academic degrees
工学博士  早稲田大学  1977/12 

Research Areas
Thin Film and Surface Interface Physical Properties 
Electron/Electric Material Engineering 

Research keywords
Thin films 
Ion beam induced epitaxial growth 
Chemical vapor deposition 

Bibliography
固体表面分析 Ⅱ  荒賀年美 他19名  総頁数584頁 24頁  講談社  1995/04  固体表面状態を観察、分析する種々の手法について、それぞれの手法の専門家が分筆したものをまとめたものである。 全584頁中、第9章「ラザフォード後方散乱法」(433~456頁)を担当 編者:大西孝治、堀池靖浩、吉原一紘 共著者:荒賀年美、安藤寿浩、石田英之、伊藤正時、工藤昭彦、酒井明、坂上弘之、佐藤洋一郎、鈴木茂、田中浩三、田中繁夫、堂免一成、内藤周武、野村淳子、服部健雄、堀池靖浩、本間芳和、森田清三、山本康博 
表面と薄膜分析技術の基礎  海文堂  1992/06  L.C.Feldman and J.W.Mayer著の“Fundamental of Surface and Thin Film Analysis”の訳であり、イオンビームやX線を用いた表面分析技術の解説書である。 全353頁中、第1から5章および第11章を担当 共著者:栗山一男、山本康博 
APPLICATION OF ION BEAMS IN MATERIALS SCIENCE  法政大学出版局  1988/05  法政大学イオンビーム工学研究所および法政大学工学部主催の第12回法政大学国際シンポジウム“Application of Ion Beams in Materials Science”のProceedings編集。 全531頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:T.Sebe and Y.Yamamoto 
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Papers
Research paper (bulletin of university, research institution)  Joint  Crystallization Properties of CeO2 Thin Films Deposited by MOCVD with Additional TEOS Introduction  T. Furuya, T. Sato, T. Matsumura, Y. Okabe, S. Suzuki, K. Ishibashi  Proc. 33rd Sympos. Mat. Sci. and Eng., Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University  33, 70-76  2015/03/01 
Research paper (scientific journal)  Joint  Normally-off GaN MOSFETs with high-k dielectric CeO2 films deposited bhy RF sputtering  Hiroki Ogawa, Takuya Okazaki, Hayao Kasai, kenta Hara, Yuki Notani, Yasuhiro Yamamoto and Tohru Nakamura  Physica Status Solidi C  11/ 2, 302-306  2014/02 
Research paper (bulletin of university, research institution)  Joint  Electrical Properties of Al Doped CeO2 Thin Films Deposited by O2 Introduced Ar Sputtering  Y. Notani, T. Okazaki, K. Hara, T. Osawa, K. Hibino, S. Suzuki, K. Ishibashi and Y. Yamamoto  Proc. 32nd Symposium on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University  32, 52-57  2013/12/04 
Research paper (bulletin of university, research institution)  Joint  Effect of O2 Introduction Property of Al Doped CeO2 Films Deposited by Sputtering Method  K. Hara, T. Okazaki, Y. Notni, T. Osawa, K. Hibino, S. Suzuki, K. Ishibashi and Y. Yamamoto  Proc. 32nd Symposium on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University  32, 46-51  2013/12/04 
Research paper (scientific journal)  Joint  Regrowth characteristics of SiGe/Si by IBIEC and SPEG  K. Awane, Y. Kokubo, M. Yomogida, T. Nishimura and Y. Yamamoto  Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B  307, 399-403  2013/04 
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Alloted class
電子材料工学基礎 
電子材料工学特論 I 
電子材料基礎物性 
電子材料工学特論 II 
電子材料工学 
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Memberships of academic societies
The Bohmische Physical Society 会員 
アメリカ Materials Research Society 
応用物理学会 会員 
応用物理学会講演会分科世話人 
アメリカ物理学会員 
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