論文
公開件数:189件
No. 掲載種別 単著・共著区分 タイトル 著者 誌名 出版者 巻号頁 出版日 ISSN DOI URL 概要
1 研究論文(学術雑誌)
共著
Compensation mechanism of DX-like center in neutron transmutation doped GaN
T. Nakamura, K. Kamioka, K. Kushida, Q. Xu, and M. Hasegawa
Solid State Communications

205, 1-3
2015




2 研究論文(学術雑誌)
共著
Structural and magnetic properties of transtion metals doped ZnO(TM)/ZnO multilayers
H. Nakayama, I. Sakamoto, R. Kinoshita, M. Yasumoto, M. Koike, and S. Honda
Japanese Jouranal of Applied Physics

53, 05FB03-1-4
2014




3 研究論文(学術雑誌)
共著
Nuclear reaction analysis of Ge ion-implanted ZnO bulk single crystals:The evaluation of the displacement in oxygen lattices
K, Kamioka, T. Oga, Y. Izawa, K. Kushida, and A. Kinomura
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B

332, 11-14
2014




4 研究論文(学術雑誌)
共著
Electronic structual change due to crystal structural transformation from gamma- to beta-phases of Li7VN4
K. Kushida, Y. Suzuki, and K. Kuriyama
Journal of Alloys and Compounds

599, 202-205
2014




5 研究論文(学術雑誌)
共著
Two shallow donors related to Zn interstitial in S-ion implanted ZnO epitaxial film
K. Kamooka, K. Kuriyama, and K. Kushida
Solid State Commun.

188, 12-14
2014




6 研究論文(学術雑誌)
共著
Characterization of the lattice defects in Ge-ion implanted ZnO bulk single crystals by Rutherford Backscattering: Origins of low resistivity
K. Kamioka, T. Oga, Y. Izawa, K. Kuriyama, and K. Kushida
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B

307, 366-369
2013




7 研究論文(学術雑誌)
共著
Origins of low resistivity and donor level in Ge-ion implanted ZnO bulk single crystals
K. Kamioka, T. Oga, Y. Izawa, K. Kuriyama, and K. Kushida
31th International Conference on the Physics of Semiconductors, AIP Conference Proceedings

1566, 79-80
2013




8 研究論文(学術雑誌)
共著
Neutron-transmuted carbon-14 in neutron-irradiated GaN: Compensation of DX-like center
T. Ida, T. Oga, K. Kuriyama, K. Kushida, Q. Xu, and S. Fukutani
31th International Conference on the Physics of Semiconductors, AIP Conference Proceedings

1566, 67-68
2013




9 研究論文(学術雑誌)
共著
Optical band gap and disordered structure in Li8GeN4
H. Aoyama, S. Kuwano, K. Kuriyama, and K. Kushida
Journal of Alloys and Compounds

577, 11-14
2013




10 研究論文(学術雑誌)
共著
Three hundred micron squared all-solid-state Li ion secondary battery fabricated by Si very large scale integration technology
Y. Yamada, T. Nozaki, K. Kushida
Journal of Alloys and Compounds

555, 44-47
2013




11 (MISC)総説・解説(学術雑誌)
共著
髪の毛サイズの超微細リチウム電池の開発とそのマテリアルの性質
串田一雅
Material Stage

12/ 4, 43-46
2012




12 研究論文(学術雑誌)
共著
Synthesis and physical properties of Li7V0.5Mn0.5N4
Y. Suzuki, Y. Inoue, K. Kushida
J. Crystal Growth

262, 153-156
2012




13 研究論文(学術雑誌)
共著
Thermally stimulated current studies on electron-irradiated single crystal ZnO bulk: Dual light illumination effect
T. Oga, Y. Izawa, K. Kuriyama, K. Kushida, and Q. Xu
30th International Conference on the Physics of Semiconductors, AIP Conference Proceedings

1399, 67-68
2011




14 研究論文(学術雑誌)
共著
Evaluation of carbon interstitial in C-ion implanted ZnO bulk single crystals by a Nuclear reaction analysis: An origin of low resistivity
Y. Izawa, K. Matsumoto, T. Oga, K. Kuriyama, K. Kushida, and A. Kinomura
30th International Conference on the Physics of Semiconductors, AIP Conference Proceedings

1399, 69-70
2011




15 研究論文(学術雑誌)
共著
Origins of low resistivity in Al ion-implanted ZnO bulk single crystals
T. Oga, Y. Izawa, K. Kuriyama, K. Kushida, and A. Kinomura
J. Appl. Phys.

109, 123702-1-5
2011




16 研究論文(学術雑誌)
共著
Evaluation of the interface of thin GaN layers on c- and m-plane ZnO substrates by Rutherford backscattering
Y. Izawa, T. Oga, T. Ida, K. Kuriyama, A. Hashimoto, H. Kotake, and T. Kamijoh
Appl. Phys. Lett.

99, 021909-1-3
2011




17 研究論文(学術雑誌)
共著
Persistent Photoconductivity in electron-irradiated ZnO bulk single crystals: Evaluation of the metastable conductive state by the dual light illumination
T. Oga, Y. Izawa, K. Kuriyama, K. Kushida, and Q. Xu
Solid State Commun.

151, 1700-1703
2011




18 研究論文(学術雑誌)
共著
Evaluation of zinc interstitial in Si-ion implanted ZnO bulk single crystals by a Rutherford backscattering study: An origin of low resistivity
Y.Izawa, K.Matsumoto, K.Kuriyama, K.Kushida
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B

268, 2104-2106
2010/02




19 研究論文(学術雑誌)
共著
Electronic structural difference between Li7VN4 and Li7MnN4 due to the replacement of V with Mn: A simulation by a discrete variational X alpha method
K.Kushida, Y.Ichihashi, Y.Suzuki, K.Kuriyama
Physica B

405, 2305-2310
2010/02




20 (MISC)総説・解説(学術雑誌)
共著
Annealing behavior of defects in multiple-energy nitrogen implanted ZnO bulk single crystal
K. Kuriyama, K. Matsumoto, M. Ooi, and K. Kushida
Materials Science Forum

600-603, 1361-1364
2009




21 研究論文(学術雑誌)
共著
Raman scattering from the filled tetrahedral semiconductor LiMgAs
K.Kuriyama, Y.Yamashita, Y.Suzuki, K.Matsumoto, K.Kushida
Physics of Semiconductors, 29th International Conference on the Physics of Semiconductors,AIP Conference Proceedings

1199, 67-68
2009/12




22 研究論文(学術雑誌)
共著
Persistent photoconductivity and photo-responsible defect in 30 MeV-electron irradiated single crystal ZnO
K.Kuriyama, K.Matsumoto, K.Kushida, Q. Xu
Physics of Semiconductors, 29th International Conference on the Physics of Semiconductors,AIP Conference Proceedings

1199, 89-90
2009/12




23 研究論文(学術雑誌)
共著
7Li spin-lattice relaxation at low temperatures on a superionic conductor beta-LiGa
S.Endou, T.Ohono, Y.Kishimoto, D.Nishioka, Y.Michihiro, Y.Kawasaki, Y.Ideta, K.Kuriyama, H.Hamanaka, M.Yahagi
Journal of the Physical Society of Japan

78/ 10, 104601-1-5
2009/10




24 研究論文(学術雑誌)
共著
Persistent photoconductivity and thermally stimulated current related to electron-irradiation induced defects in single crystal ZnO bulk
K.Kuriyama, K.Matsumoto, Y.Suzuki, K.Kushida, Q,Xu
Solid State Communications

149, 1347-1350
2009/05




25 研究論文(学術雑誌)
共著
Electrical and photoluminescence properties of carbon implanted ZnO bulk single crystals
M.Matsumoto, K.Kuriyama, K.Kushida
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B

267, 1568-1570
2009/02




26 研究論文(学術雑誌)
共著
Small polaron transport in Li7MnN4 containing isolated MnN4 tetrahedra
K. Kuriyama, Y. Suzuki, and K. Kushida
Solid State Communications

148, 508-510
2008




27 (MISC)総説・解説(学術雑誌)
共著
Growth and band gap of the filled tetrahedral semiconductor Li3AlP2
K. Kuriyama, J. Anzawa, and K. Kushida
Journal of Crystal Growth

310, 2298-2300
2008




28 研究論文(学術雑誌)
共著
NMR study on defect structure in beta-LiGa
D. Nishioka, K. Nakamura, Y. Michihiro, T. Ohno, T. Kanashiro, K. Kuriyama, H. Hamanaka, and M. Yahagi
Journal of the Physical Society of Japan

77/ 3, 034604-1-7
2008/03




29 (MISC)総説・解説(学術雑誌)
共著
Atomic force microscopy observation of the Jahn-Teller instability in spinel LiMn2O4 embedded in silicon substrate
K. Kuriyama, A. Onoue, Y. Yuasa, and K. Kushida
Physics of Semiconductors, 28th International Conference on the Physics of Semiconductors, Part B

893, 1481-1482
2007




30 (MISC)総説・解説(学術雑誌)
共著
Optical band gap and bonding character of Li3GaN2
K. Kuriyama, T. Ishikawa, and K. Kushida
Physics of Semiconductors, 28th International Conference on the Physics of Semiconductors, Part B

893, 1479-1480
2007




31 研究論文(学術雑誌)
共著
Atomic force microscopy study of surface morphology change in spinel LiMn2O4: Possibility of direct observation of Jahn-Teller instability
K. Kuriyama, A. Onoue, Y. Yuasa, and K. Kushida
Surface Science

601, 2256-2259
2007




32 研究論文(学術雑誌)
共著
Li+ ionic diffusion and vacancy ordering in beta-LiGa
K. Nakamura, K. Motoki, Y. Michihiro, T. Kanashiro, M. Yahagi, H. Hamanaka, and K. Kuriyama
Farady Discussions

134, 343-352
2007




33 研究論文(学術雑誌)
共著
Modification of electronic structure induced by local lattice distortion in Li3GaN2 and Li3AlN2: Simulation by a discrete variational X-alpha method
K. Kushida and K. Kuriyama
Physical Review B

76/ 24, 245124-1-8
2007/12




34 研究論文(学術雑誌)
共著
Raman scattering from the filled tetrahedral semiconductor LiMgN: Identification of the disordered arrangement between Li and Mg
K. Kuriyama, Y. Yamashita, T. Ishikawa, and K. Kushida
Physical Review B

75/ 23, 233204-1-4
2007/06




35 研究論文(学術雑誌)
共著
Thermally stimulated current studies on neutron irradiation induced defects in GaN
K. Kuriyama, M. Ooi, A. Onoue, K. Kushida, M. Okada, and Q. Xu
Applied Physics Letters

88, 132109-1-3
2006




36 (MISC)総説・解説(学術雑誌)
共著
Band gap of LiInO2 synthesized by sol-gel method
K. Kushida and K. Kuriyama
Physica Status Solidi C

3/ 8, 2800-2803
2006




37 (MISC)総説・解説(学術雑誌)
共著
Lattice disorder in neutron irradiated GaN: Nuclear reaction analysis and Rutherford backscattering studies
K. Kuriyama, Y. Mizuki, H. Sano, A. Onoue, K. Kushida, M. Okada, M. Hasegawa, I. Sakamoto, and A. Kinomura
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B

249, 132-135
2006




38 (MISC)総説・解説(学術雑誌)
共著
Characterization of the InN conversion layer in InP surface by ammonia gas: Nuclear reaction analysis, X-ray diffraction and Raman scattering studies
Y. Mizuki, A. Onoue, K. Kuriyama, M. Hasegawa, and I. Sakamoto
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B

249, 136-139
2006




39 研究論文(学術雑誌)
共著
Thermally stimulated current studies on deep levels in hydrothermally grown single crystal ZnO bulk
K. Kuriyama, M. Ooi, K. matsumoto, and K. Kushida
Applied Physics Letters

89/ 24, 242113-1-3
2006/12




40 (MISC)総説・解説(学術雑誌)
共著
Synthesis and characterization of AlN-like Li3AlN2
K. Kuriyama, Y. Kaneko, and K. Kushida
Journal of Crystal Growth

275, e395-e399
2005




41 研究論文(学術雑誌)
共著
Nuclear reaction analysis of carbon-doped GaN: the interstitial carbon as an origin of yellow luminescence
K. Kuriyama, Y. Mizuki, H. Sano, A. Onoue, M. Hasegawa, I. Sakamoto
Solid State Communications

135, 99-102
2005




42 研究論文(学術雑誌)
共著
Characterization of epitaxial (Y,B)3(Fe,Ga)5O12 thin films grown by metal-organic decomposition method
T. Ishibashi, A. Mizusawa, M. Nagai, S. Shimizu, K. Sato, N. Togashi, T. Mogi, M. Houchido, H. Sano, and K. Kuriyama
Journal of Applied Physics

97, 013516-4
2005




43 研究論文(学術雑誌)
共著
Raman scattering from the filled tetrahedral semiconductor LiZnAs
K. Kuriyama, T. Ishikawa, and K. Kushida
Physical Review B

72/ 23, 233201-1-3
2005/12




44 研究論文(学術雑誌)
共著
Filled tetrahedral semiconductor Li3AlN2 studied with optical absorption: Application of the interstitial insertion rule
K. Kushida, Y. Kaneko, and K. Kuriyama
Physical Review B

70/ 23, 233303-4
2004




45 研究論文(学術雑誌)
共著
Ion channeling and Raman scattering studies of the lattice disorder and residual strain in neutron irradiated GaN
k. Kuriyama, T. Tokumasu, H. Sano, and M. Okada
Solid State Communications

131, 31-35
2004




46 研究論文(学術雑誌)
共著
Carbon doping by ion implantation and C2H6 gas in GaN: Rutherford backscattering/channeling, Raman scattering and photoluminescence studies
R. Hirota, k. Kushida, J. Takahashi, and K. Kuriyama
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research

B 219-220, 792-797
2004




47 研究論文(学術雑誌)
共著
Mott-type hopping conduction in the ordered and disordered phases of LiCoO2
K. Kushiada and K. Kuriyama
Solid State Commun.

129, 525-528
2004




48 研究論文(学術雑誌)
共著
Cyclic surface morphology change related to Li ion movement in Li secondary microbattery embedded in Si substrate: Atomic force microscopy studies
k. Kushida and K. Kuriyama
Applied Physics Letters

84/ 18, 3456-3458
2004/05




49 研究論文(学術雑誌)
共著
Embedded iron nano-clusters prepared by Fe ion implantation into MgO crystals
N. Hayashi, I. Sakamoto, T. Toriyama, H. Wakabayashi, T. Okada, and K. Kuriyama
Surface and Coating Technology

169-170, 540-543
2003




50 (MISC)その他記事
共著
Thermally stimulated current study of electron-irradiation induced defects in semi-insulating InP obtained by multiple-step wafer annaling

Solid State Commun. Vol.126


2003



Feの不純物濃度を低減して2段階アニールで作成した半絶縁性InPに電子線照射を施し熱刺激電流法で欠陥準位を評価した。Feを意識的に添加して半絶縁性にしたInP試料中の電子線照射誘起欠陥とは異なる5つの欠陥準位が観測され、それぞれの準位の起源について議論している。 309~313頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:K. Kuriyama, J. Takahashi, M. Okada, and M. Uchida
51 (MISC)その他記事
共著
Neutron-transmuted Ge related luminescence in neutron-irradiated GaN: DX-like and Ga interstitial centers

IOP Publishing Ltd/ Physics of Semiconductors 2002(Conference Series Number 171)


2003



中性子転換注入GaN中の転換注入不純物Geと格子変位について、フォトルミネッセンス(PL)、ラマン散乱およびラザフォード後方散乱/チャネリング法により研究した。Ga原子の<0001>格子列からの変位は約0.124Åであり、600℃の熱処理試料で観測された2.84eVのPL発光は格子間位置のGa原子に起因する。また、1000℃熱処理試料中で観測された2.90eVおよび2.22eV帯のPL発光はそれぞれGa格子位置を置換したGeの負に帯電したDX様センターおよびGeとGa原子空孔からなる複合欠陥と同定される。 CD-D46:1~8頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:K. Kuriyama,T. Tokumasu, J. Takahashi, H. Konndo, and M. Okada
52 (MISC)その他記事
共著
Band gap and cathode- and photoluminescences from LiInO2 films

J. Appl. Phys. Vol.93, No.5


2003/03



LiInO2はソーラーニュートリノ検出用固体シンチレータの候補材料である。本研究において、ゾルーゲルスピンコート法により石英およびシリコン基板にLiInO2薄膜を作成した。空間群I41/amdに起因する6個のラマン散乱モードが観測され、光吸収測定からバンドギャップは4.2eVである。ソーラニュートリノとの核反応によって放出されるベータ線による仮想実験としてカソードルミネッセンスを測定した。5-20kVの電子線加速により2.2eV帯の発光が室温で観測された。フォトルミネッセンス法によっても同様の発光が観測された。発光準位は酸素原子空孔に起因することを示唆した。 2691~2695頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:K. Kushida, T. Koba, and K. Kuriyama
53 研究論文(学術雑誌)
共著
Nano-clustering in alpha-Al2O3 crystals by ion implantation of iron and cobalts and their magnetic properties
N. Hayashi, T. Toriyama, H. Wakabayashi, I. Sakamoto, T. Okada, and K. Kuriyama
Surface and Coating Technology

158-159, 193-197
2002




54 (MISC)総説・解説(学術雑誌)
共著
Neutron-transmuted Ge related luminescence in neutron-irradiated GaN: DX-like and Ga interstitial center
K. Kuriyama, T. Tokumasu, J. Takahashi, H. Kondo, and M. Okada
Physics of Semiconductors 2002, Proceedings of the 26th International Conference of the Physics of Semiconductors

IOP No.171, CD-D46,1-8
2002




55 (MISC)その他記事
共著
Hundred-micron-sized all-solid-state Li secondary battery arrays embedded in a Si substrate

Appl. Phys. Lett. Vol.81 No.26


2002



本論文は、シリコン基板中に埋め込まれた数百ミクロンサイズの全固体型リチウム二次電池の作成方法と充放電特性を述べている。シリコンの集積回路作成技術との整合性を考慮し、ゾル-ゲルスピンコーティング法を用いている。基本構造はAl/Li/SiO2/LiMn2O4/多結晶シリコンであり、3.6Vで9.2Ah/cm2の一定容量で100サイクルの動作特性を示した。 349~352頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:K.Kushida, K.Kuriyama, and T.Nozaki
56 (MISC)その他記事
共著
Narrowing of the Co-3d band related to the order-disorder phase transition in LiCoO2

Solid State Commun. Vol.123


2002



本論文は、LiCoO2薄膜のCo-3dバンド幅が規則(層状岩塩型)―不規則(立方)構造変態に伴い、劇的に変化することを論じている。Co-3dバンド幅の先鋭化には高い結晶の対称性をを有する各層間中 のLiとCoの不規則配置(立方構造)から生じるCo-egとCo-t2gバンドの重なりの増加に起因することを提案した。 5066~5068頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:K.Kushida, K.Kuriyama
57 (MISC)その他記事
共著
Sol-gel growth of LiCoO2 films on Si substrates by a spin-coating method

J. Crys. Growth Vol.237~239


2002



本研究は、スピン-コーティング法を用い、シリコン基板上にLiCoO2薄膜を作成する方法を論じている。原材料としてLiアセテートとCoアセテートをメタノール中に溶解しゲル液とした。この液体をシリコン基板上にスピン-コートし、酸素流下で熱処理することによりLiCoO2薄膜を作成した。構造はX線回折およびラマン散乱分光法により解析した。600℃において、スピネル構造から層状岩塩型構造への相変態を示した。 612~615頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:K.Kushida and K.Kuriyama
58 (MISC)その他記事
共著
Growth and band gap of the filled tetrahedral semiconductor LiMgN

J. Crys. Growth Vol.237~239


2002



本論文は、立法晶窒化アルミニウム様化合物LiMgNの結晶成長法について論じている。この化合物はLiMg合金を窒素ガスとの反応で合成された。結晶の色は淡黄色で格子定数はa=4.955Åであり、光音響分光法で測定したバンドギャップは3.2eVであった。 2019~2022頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:K.Kuriyama, K.Nagasawa, and K.Kushida
59 (MISC)その他記事
共著
Substitution and electrical activation of carbon in C- and C+P-implanted InP

Nucl. Instr. and Meth. B Vol.190


2002



本論文は、炭素および炭素-リン共イオン注入InP中の炭素の置換と電気的活性化について論じている。炭素のみのイオン注入では4.5%の電気的活性化を示すが、炭素-リン共イオン注入では7.3%に達した。12C(d, p)13Cの核反応分析から注入炭素は格子間を占有しやすい傾向を示した。 869~872頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:K.Kushida, O.Ogawa, K.Kuriyama, N.Hayashi, M.Ogura, M.Hasegawa, N.Kobayashi
60 (MISC)その他記事
共著
NMR study on Li-vacancy ordering and Ionic diffusion in β-LiGa

J. Phys. Soc. Jpn, Vol.71, No.5


2002/05



本論文は、リチウムイオン伝導体β-LiGa中のリチウム原子空孔の規則配置とリチウムイオン拡散について核磁気共鳴法を用いて評価した。化学両論比を有する組成中のLiの拡散は、Bloembergen-Purcell-Pound型を示すが、Li原子空孔を多く含むLi欠乏領域ではLi原子の規則―不規則変態を示唆するLiイオンの拡散機構が観測された。 1409~1410頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:K.Nakamura, K.Motoki, Y.Michihiro, T.Kanashiro, K.Kuriyama, H.Hamanaka, H.Yahagi
61 (MISC)その他記事
共著
Lattice distortions and the transmuted-Ge related luminescence in neutron-transmutation-doped GaN

Appl. Phys. Lett. Vol.80, No.18


2002/05



中性子転換注入GaN中の格子歪をイオンチャネリング法で、転換注入されたGeをフォトルミネッセンス法でそれぞれ観測した。これらのデータから、Ga格子間原子、GeのDXセンター、Ga原子空孔とGeとの複合欠陥からの発光であることを同定した。 3328~3330頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:K.Kuriyama, T.Tokumasu, Jun Takahashi, and H.Kondo
62 (MISC)その他記事
共著
Formation of the GaN conversion layer in Gap(111)B wafers using ammonia gas

Appl. Phys. Lett. Vol.80, No.9


2002/03



GaP(111)B面ウエハーをアンモニアガスフロー下で900℃、6時間熱処理することによりウルツ鉱型GaN相に相転換することを明らかにした。X線回折、ラマン散乱測定からc軸方向に配向しており、3.34eVに相当するフォトルミネッセンスが観測された。 1562~1564頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:K.Kuriyama, H,Hasegawa, Y. Suzuki, and K.Kushida
63 (MISC)その他記事
共著
Optical absorption related to Co-3d bands in sol-gel grown LiCoO2 films

Solid State Commun. Vol.118


2001



ゾル―ゲル成長した層状岩塩型構造を有するLiCoO2膜のコバルト3dバンドを光吸収法により調べた。ラマン散乱法により空間群R-3mを有するこの結晶構造に起因する2つのピークが観測された。観測された吸収ピークはd-d遷移、すなわちコバルトt2gから約2.1eV高エネルギーに位置するe準位への光学遷移であることを明らかにした。この結果はCoOへのリチウム挿入によるegバンドの下方シフトの理論的予想とよい一致を示している。 615~618頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:K.Kushida and K.Kuriyama
64 (MISC)その他記事
共著
A point defect complex related to the yellow luminescence in electron irradiated GaN

Solid State Commun. Vol.119


2001



30MeVのエネルギーの電子線照射を施したGaN中の黄色ルミネッセンス(約2.2eV)に関連する複合点欠陥の起源についてフォトルミネッセンス法により調べた。黄色ルミネッセンスは電子線誘起Ga原子空孔と残留ドナー不純物から成る複合欠陥であることを明らかにした。この欠陥は1000℃の熱処理によっても消失せず、高温における熱的安定性を示唆している。 559~562頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:K.Kuriyama, H.Kondo and M.Okada
65 (MISC)その他記事
共著
Preferential ion scattering from 6H-SiC: Identication of the substitution site on the implanted Ga impurities

J. Appl. Phys. Vol.89, No.1


2001



(1100)配向6H-SiC中へイオン注入したガリウム原子の格子位置についてチャネリング・ラザフォード後方散乱法により調べた。1200度の熱処理により非晶質化した注入層が再結晶化し、注入されたガリウム原子は6H-SiCの炭素格子位置よりもシリコン位置に置換していることを明らかにした。 61~65頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:M.Satoh, Y.Nakaike, and K.Kuriyama
66 (MISC)その他記事
共著
Crystal growth and characterization of the filled-tetrahedral semiconductors LiZnP and LiMgP

Japanese Research Review for Pioneering Ternary and Multinary Compounds in the 21th Century


2001/12



疑閃亜鉛鉱型(ZnP)-及び(MgP)-中にHe-様Li+が挿入された充填四面体化合物半導体LiZnP及びLiMgPの結晶成長、バンドギャップ、フォトルミネッセンス、ラマン散乱等のデータを収録した。また、窒化物充填四面体化合物半導体の性質についても記述している。 268~273頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:K.Kuriyama, K.Kushida and Toshimitu Katoh
67 (MISC)その他記事
共著
Nitogen-ion-implantation synthesis of wurtzite GaN in GaP

Appl. Phys. Lett. Vol.79, No.16


2001/10



GaP(100)ウエハーに窒素イオン注入を行い、950℃あるいは1000℃で熱処理することによりウルツ鉱型GaN相を合成した。電子線回析、Auger電子分光、ラマン散乱法を用いてGaN<11-20>//GaP<100>の配向関係を明らかにした。 2546~2547頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:K.Kuriyama, H.Kondo, N.Hayashi, M.Ogura, M.Hasegawa, N.Kobayashi, Yukimi Takahashi, and S.Watanabe
68 (MISC)その他記事
共著
Observation of the crystal-field splitting related to the Mn-3d bands in spinel-LiMn2O4 films by optical absorption

Appl. Phys. Lett. Vol.77, No.25


2000



ゾル-ゲル成長したLiMn2O4膜のマンガン3dバンドを光吸収法により調べた。二つの吸収ピークは二つのd-d遷移、すなわちマンガンt2gから高低2つのエネルギー順位egへの光学遷移であることを明らかにした。この結果はこの物質の電子構造の計算値と良い一致を示している。 4154~4156頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:K.Kushida and K.Kuriyama
69 (MISC)その他記事
共著
Characterization of implantation layer in (1 0)oriented 4H‐and 6H‐SiC

Materials Science Forum Vols.338-342


2000



(1100)配向4Hおよび6H-SIC中のガリウムあるいはアルミニウムイオン注入層の多形についてラザフォード後方散乱法と透過型電子顕微鏡を用いて調べた。1500度以上の熱処理により非晶質化した注入層が再結晶化し、特にガリウム注入試料では未注入層の結晶構造を保持して成長していることを明らかにした。 905~908頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:M.Satoh, Y.Nakaike, K.Uchiyama, and K.Kuriyama
70 (MISC)その他記事
共著
Observation of Li-atomic array in spinel-LiMn2O4 films spin-coated on Si substrates using an atomic force microscopy

Appl. Phys. Lett. Vol.76, No.16


2000



ゾルーゲル法を用いてSi(100)面上にLiMn2O4薄膜を合成した。原子間力顕微鏡を用い表面モホロジーと熱処理温度との関係を論じた。300℃で合成した膜の原子レベルでフラットな面上においてスピネル構造の(100)面上のLi原子配列の観測に成功した。 2238~2240頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:K.Kushida and K.Kuriyama
71 (MISC)その他記事
共著
Optical band gap of the filled tetrahedral semiconductor LiMgAs

J. Appl. Phys. Vol.87, No.6


2000



充填四面体型半導体LiMgAs(AlAs様[MgAs]-の格子間にHe様[Li]+が挿入した構造)の光学的バンドギャップについて研究した。直接遷移型バンド構造を有し、ギャップ値は2.29eV(300K)および2.38eV(77K)であり格子間挿入則の妥当性を示唆した。バンドギャップはLiZnAsのZnをMnに置換した軽元素挿入効果およびAlAsよりも大きい値を示した。しかし、LiとMg間の規則構造はX線回折法では明確にできなかった。 3168~3170頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:K.Kuriyama and K.Kushida
72 (MISC)その他記事
共著
Band edge and Phonon-assisted deep level emissions in the ordered filled tetrahedral semiconductor LiMgP

J. Appl. Phys. Vol.87, No.5


2000



規則配置充填四面体型半導体LiMgP(擬閃亜鉛鉱型[MgP]-中の格子間のHe様Li+から構成)のバンド端および深い準位からの発光をフォトルミネッセンス法を用いて研究した。バンド端発光が2.535eV(15K)で、フォノン線を伴う625nm付近のブロードな発光がそれぞれ観測された。フォノン線はLi-PおよびMg-Pペアーに起因する縦光学フォノンに関係づけられることを示唆した。 2303~2306頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:K.Kuriyama and K.Kushida
73 (MISC)その他記事
共著
Photoluminescence from transmuted impurities in neutron-transmutation-doped semi-insulating GaP

Solid State Commun. Vol.113


2000



中性子転換注入・半絶縁性GaP中の転換注入不純物GeとSをフォトルミネッセンス法を用いて研究した。1.65eVのブロードなピークと1.87eV付近の構造が640℃以上の熱処理試料中で観測された。前者のピークはGe(Gaサイト)-Ge(Pサイト)複合欠陥に、後者はSドナー-Geアクセプタ発光に起因することを明らかにした。複合欠陥の存在は転換注入不純物の電気的活性化を妨げることを本研究で示唆した。 415~419頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:K.K.Kuriyama, K.Ohbora, and M.Okada
74 (MISC)その他記事
共著
Band gap of the filled-tetrahedral semiconductor LiMgP evaluated by photoacoustic spectroscopy

Jpn. J. Appl. Phys.(Proc. 12th Int. Conf. Ternary and Multinary Compounds)Vol.39(Suppl. 39-1)


2000/03



疑閃亜鉛鉱型(MgP)中にHe-様Li+が挿入された充填四面体化合物半導体LiMgPのバンドギャップを光音響分光法により求めた。バンドギャップ値は室温で2.41eVであり、フォトルミネッセンス及び光吸収法から求めた値とよい一致を示した。 77~78頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:K.Kushida and K.Kuriyama
75 (MISC)その他記事
共著
Optical band gap of the new filled-tetrahedral semiconductor LiMgP: Characterization by the interstitial insertion rule

Proceedings of the 24th International Conference on THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, Jerusalem, Israel, Aug.2-7,1998, Editor D. Gershoni, World Scientific, 1999


1999



充填四面体半導体LiMgP(He様Li+がAlP様(MgP)-の格子間に挿入された構造)の光学的バンドギャップを研究している。室温において2.43eVの直接遷移型バンドギャップを有することを明らかにした。格子間挿入則で予想される間接遷移型から直接遷移型へのバンドギャップ改質の妥当性を明らかにした。14Kにおけるフォトルミネッセンスにおいて490nm(2.53eV)付近にバンド間遷移に起因する発光が観測され、測定したバンドギャップ値の妥当性を確認した。 CD0299:1~4頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:K.Kuriyama, K.Kushida. and R.Taguchi
76 (MISC)その他記事
共著
Surface phonon and visible photoluminescence in porous GaAs

24th International Conference on THE PHYSICS OF SEMOCONDUCTOR, (Jerusalem, Israel, Aug.2-7,1988), Editor D. Gershoni, World Scientific, 1999


1999



多孔質GaAs中の表面フォノンモードと可視光フォトルミネッセンスを観測した。ラマン散乱法から求めた表面フォノンモードから多孔質構造が球状を呈することを示唆した。紫~紫外領域のフォトルミネッセンスから多孔質構造から生じる量子効果であることを示唆した。 CD0245:1~4頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:K.Kuriyama, K.Ohbora, and K.Ushiyama
77 (MISC)その他記事
共著
Raman scattering from the ordered filled tetrahedral semiconductor LiMgP

Solid State Commun. Vol.112


1999



充填四面体半導体LiMgPのラマン散乱と各ボンドの結合様式を研究した。この化合物は擬閃亜鉛鉱型構造(MgP)中にHe様Liプラスイオンが格子間に規則的に挿入された構造を有している。Li-PおよびMg-Pボンドに対する縦および横光学フォノンの値からLi-Pがイオン性、Mg-Pが共有性が強いことを示唆した。 429~432頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:K.Kuriyama and K.Kushada
78 (MISC)その他記事
共著
Relation between the substitutional fraction and electrical activation of carbon in heavily C-ion implanted GaAs

J. Appl. Phys. Vol.85 No.9


1999



GaAs中のCについてラザフォード後方散乱法と核反応分析法を用いて研究した。600度の熱処理により、注入Cの格子位置への置換率は19%に達したが、電気的活性化率は2%程度であった。これは、熱処理過程で生成された砒素原子空孔(ドナー)に起因することをラマン散乱法により示唆した。 6926~6928頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:K.Kuriyama, T.Koyama, K.Kushida, N.Hayashi, N.Kobayashi, and M.Hasegawa
79 (MISC)その他記事
共著
Growth and band gap of the filled-tetrahederal semiconductor LiZnN

J. Cryst. Growth Vols. 198-199


1999



充填四面半導体LiZnNの結晶成長とバンドギャップについて研究した。この化合物は擬閃亜鉛鉱型構造(ZnN)中にHe様Liプラスイオンが格子間に規則的に挿入された構造を有している。この化合物はアンモニアとLiZn合金の直接反応により作成し、光音響分光法で測定したバンドギャップ値は1.98eVでありGaNより小さいことを明らかにした。 802~805頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:K.Kuriyama, R.Taguchi, K.Kushida, and K.Ushiyama
80 (MISC)その他記事
共著
Preservation of polytypic structure in implanted 4H-SiC(1- 0)

Nucl. Instr. and Method. B Vol.148


1999



(1-100)配合4H-SiCへのイオン注入は熱処理によっても4H構造が保存されることを、ラザフォード後方散乱チャネリング法と透過型電子顕微鏡で明らかにした。注入イオン種はGaで、注入は400keV、ドーズは5x1015/cm2である。熱処理した注入層は3Cのような種々の多形を含まず4H構造を保存している。 567~572頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:M.Satoh, K.Okamoto, Y.Nakaike, K.Kuriyama, M.Kanaya, and N.Ohtani
81 (MISC)その他記事
共著
Redshift of the longitudinal optical phonon in neutron irradiated GaP

J. Appl. Phys. Vol.85 No.7


1999



中性子照射GaP中の欠陥構造に関連した縦光学(LO)フォノンの長波数側へのシフトの起源をラマン散乱、電子常磁性共鳴、X線回析、フーリエ変換赤外吸収法を用いて研究した。LOフォノンのシフトはアンチサイト型欠陥に起因するよりもフレンケル型欠陥に起因することを示唆した。後者の欠陥は中性子照射による格子膨張に関係することを合わせて示した。 3499~3502頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:K.Kuriyama, Y.Miyamoto, and M.Okada
82 (MISC)その他記事
共著
Characterization of GaN synthesized in N-ion implanted GaAs

Nucl. Instr. and Method. B Vol.148


1999



六方晶GaNが窒素イオン注入(001)配合GaAs中で合成された。注入は70keV、ドーズは(2~3.2)x1017/cm2で、熱処理は850度10~30分である。注入層中のGaN形成はラマン散乱、X線回析、X線光分光法で同定した。また、六方晶GaNのバンド端付近からのフォルトルミネッセンス発光も観測した。 8432~8436頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:K.Kuriyama, T.Tsunoda, N.Hayashi, Y.Takahashi
83 (MISC)その他記事
共著
Ion channeling study of the lattice disorder in neutron irradiated GaP

J. Appl. Phys. Vol.86 No.4


1999/08



高速中性子照射GaPの格子の乱れをHeイオンチャネリング法で研究した。1次はじき出しによる格子変位数とPアンチサイト欠陥濃度との関係を議論している。観測された体積膨張は原子空孔―格子間原子クラスターに起因することを示唆した。 2352~2354頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:K.Kuriyama, Y.Miyamoto, T.Koyama, O.Ogawa, and M.Okada
84 (MISC)その他記事
共著
Characterization of porous GaP by photoacoustic spectroscopy: The relation between band-gap widening and visible photoluminescence

Phys. Rev. B Vol.58 No.3


1998



多孔質GaP中のバンドギャップの拡張を光音響分光法、ラマン散乱法、フォルトルミネッセンス法により研究した。バンドギャップの短長波側へのシフトと青紫発光の関連が考察されている。ラマン散乱のシンプルなモデルから多孔質構造は、円柱型の形状を有していると推定された。 1103~1105頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:K.Kuriyama, K.Ushiyama, K.Ohobora, Y.Miyamoto, and S.Takeda
85 (MISC)その他記事
共著
Uniformaty of deep levels in semi-insulating InP obtained by multiple-step wafer annealing

J. Electronic Materials Vol.27 No.5


1998



多段ウエハーアニールによって得られた半絶縁性InP中の深い欠陥順位の面内均質性について熱刺激電流法とフォルトミネッセンス法により研究した。鉄の複合欠陥に関連した準位が3つ観測された。ウエハーの数ヶ所で微小な熱刺激電流ピークと対応する燐原子空孔に関連するフォルトミネッセンス発光が観測された。 462~465頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:K.Kuriyama, K.Ushiyama, T.Tsunoda, M.Uchida, and K.Yokoyama
86 (MISC)その他記事
共著
Anomalous heat capacity and defect structure in β-LiGa

Solid State Ionics Vols.113-115


1998



金属間化合物LiGa中の原子空孔の規則-不規則配置が電気伝導度および比熱測定により研究された。233Kの転位点で伝導度および比熱異常が観測された。この転位点で72.5J/molの過剰エンタルピーが観測された。 69~72頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:H.Hamanaka, S.Kaidou, K.Kuriyama, and M.Yahagi
87 (MISC)その他記事
共著
Site identification of 6H-SiC using RBS/channeling technique

Materials Science Forum Vols.264-268


1998



6H-SiCのSiおよびC格子列をラザフォード後方散乱チャネリング法で研究した。SiおよびCのみの格子列を識別できることを明らかにしている。SiC中の不純物がどちらの格子位置にあるかの同定にこの手法が使用できることを示唆した。 441~444頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:M.Satoh, K.Okamoto, Y.Iwata, K.Kuriyama, M.Kanaya, and N.Ohtani
88 (MISC)その他記事
共著
Optical band gap of the ordered filled-tetrahederal semiconductor LiMgP

Solid State Commun. Vol.108 No.7


1998



充填四面体半導体LiMgPの光学的バンドギャップについて研究した。この化合物は擬閃亜鉛鉱型構造(MgP)中にHe様Liプラスイオンが格子間に規則的に挿入された構造を有していることをX線回析法により明らかにした。バンドギャップは直接遷移型で2.43eV(室温)であり,LiZnPよりも大きなバンドギャップを有することを合わせて明らかにした。 429~432頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:K.Kuriyama, K.Kushida, and R.Taguchi
89 (MISC)その他記事
共著
Irreversible electrical resistivity and unstable bonding nature in the fast-Li-ion conductor β-LiGa (高速Liイオン伝導体β-LiGa中の不可逆的電気抵抗と不安定な化学結合)

Phys. Rev. B Vol.56 No.19

12062-12064頁
1997



本論文は、β-LiGa中の室温以上の電気抵抗の温度依存性を記述している。不可逆的電気抵抗はLi過剰組成領域で観測された。電気抵抗の減少を生じる不可逆的電気抵抗は、キャリアの散乱中心としてのLiアンチサイト欠陥の消失と関連づけられることを明かにした。また、このアンチサイト欠陥におけるsp3様結合の不安定性を示唆した。 12062~12064頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、浜中廣見、田口竜一、矢萩正人
90 (MISC)その他記事
共著
Effect on the excess P element in p-ion-implanted semi-insulating Fe-doped InP (Pイオン注入Fe-添加半絶縁性InP中の過剰リンの効果)

Nucl. Instr. and Method. B Vol.127/128

456-458頁
1997



本論文は、Pイオン注入Fe-添加半絶縁性InP中の過剰リンの効果を種々のアニール段階で評価している。LO-TO周波数分離度の減少は、Inアンチサイトの様な格子欠陥に起因した格子歪によることを示唆した。また、Inアンチサイト欠陥はフォトルミネツセンス法により存在を明かにしている。 456~458頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、佐藤茂樹、酒井清博、横山幸生
91 (MISC)その他記事
共著
Photoquenching of the hopping conduction in arsenic-ion-implanted MBE grown GaAs (ヒ素イオン注入MBE成長GaAs中のホッピング伝導のフォトクエンチング)

Solid State Commun. Vol.103 No.3

145-149頁
1997



本論文は、ヒ素イオン注入を行った分子線エピタキシャル成長GaAs中でMott-型のホッピング伝導が光クエンチングする現象を記述している。伝導度の光クエンチングの時間依存性は長短二つの因子からなり、長い方の因子は、光クエンチングを生じる従来知られているEL2欠陥の構成要素であるAsアンチサイト欠陥の再生成に起因していることを明かにしている。 145~149頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、風間浩一、小川貴嗣、高森毅、上條健
92 (MISC)その他記事
共著
Phonon shifts relating to the defect structure in neutron-transmutation-doped semi-insulating GaAs (中性子転換注入GaAs中の欠陥構造に起因したフォノンシフト)

Phys. Rev. B Vol.54 No.19

13413-13415頁
1996



本論文は、中性子転換注入GaAs中の欠陥構造についてラマン分光およびX線回折法を用いて研究した結果を記述している。観測されたLO-TO周波数分離の度合は、アンチサイト欠陥よりも原子空孔により影響されることを示唆した。原子空孔の規模は0.4%の体積膨張を引き起こすことを合わせて明らかにした。 13413~13415頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、佐藤茂樹、岡田守民
93 (MISC)その他記事
共著
Regrowth of the photoquenchable defect relating to the hopping conduction in arsenic-ion-implanted semi-insulating GaAs

J. Appl. Phys. Vol.80 No.8

4488-4490頁
1996



本論文は、ヒ素イオン注入半絶縁性GaAs中でMott-型のホッピング伝導の光クエンチング現象を述べている。この現象は、光クエンチングを起こすEL2欠陥の構成要素であるAsアンチサイト欠陥の再生成に起因していることを明かにしている。 4488~4490頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、風間浩一、加藤崇、山本春也、青木康、楢本洋
94 (MISC)その他記事
共著
Growth and photoluminescence properties of the filled tetrahedral semiconductor LiZnAs (充填4面体半導体LiZnAsの結晶成長とフォトルミネッセンス特性)

J. Cryst. Growth Vol.166

631-635頁
1996



本論文は、充填4面体半導体LiZnAsの結晶成長法とフォトルミネッセンス特性について論じている。この化合物は各構成元素の直接溶融固化法で作成出来ることを明かにした。ドナー―アクセプター対発光のほか、直接遷移型バンド構造固有のバンド間発光が観測された。また、バンドギャップの温度依存性も明かにした。 631~635頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、加藤崇、加藤智晴、松野博和
95 (MISC)その他記事
共著
Defect structure and Li-vacancy ordering in β-LiGa (β-LiGa中の欠陥構造とLi原子空孔の規則配置)

Phys. Rev. B Vol.54 No.9

6015-6018頁
1996



本論文は、β-LiGa中の欠陥構造とLi原子空孔の規則配置の関係を研究している。欠陥構造は、Li原子空孔とLiアンチサイト欠陥から成っており、欠陥の歪エネルギーは上記2つの欠陥の複合欠陥の生成により緩和することを示唆した。Li原子空孔規則配置に起因する抵抗異常が230K付近で観測された。 6015~6018頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、浜中廣見、海道進太郎、矢萩正人
96 (MISC)その他記事
共著
Themally stimulated current study of electron-irradiated semi-insulating Fe-Doped InP (電子線照射半絶縁性InPの熱刺激電流法による研究)

Solid State Commun. Vol.100 No.6

389-392頁
1996



本論文は、電子線照射半絶縁性InP中の欠陥を熱刺激電流(TSC)法とフォトルミネツセンス(PL)法により評価している。新しいTSCピークが熱処理過程で観測されInアンチサイト欠陥に関連した準位であることを明らかにした。また、照射量が少ない場合、アンチサイト欠陥生成の前段階のフレンケル型欠陥が生成されることを明らかにした。 389~392頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、酒井清博、牛山健一、岡田守民、横山幸生
97 (MISC)その他記事
共著
LO-phonon and plasmon coupling in neutron-transmutation-doped GaAs (中性子転換注入GaAs中のLOフォノンープラズモン結合)

Phys. Rev. B Vol.53 No.3

987-989頁
1996



本論文は、中性子転換注入GaAs中のLOフォノンープラズモン結合についてラマン分光およびフーリエ変換赤外分光法を用いて研究した結果を記述している。中性子転換注入不純物濃度がおよそ8×1016cm‐3に達したとき、LOフォノンープラズモン結合が観測された。この挙動は、600℃以上の熱処理試料の中性子転換注入不純物からの自由電子吸収と一致している。 987~989頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、酒井清博、岡田守民
98 (MISC)その他記事
共著
Electron-irradiation induced defects in Fe-doped semi- insulating inP (Feドープ半絶縁性InP中の電子線照射欠陥)

Materials Science Forum Vol.196-201 Trans Tech Publication

1443-1448頁
1995



本論文は、30MeV電子線照射Feドープ半絶縁性InP中のInアンチサイトおよびFe関連欠陥の熱処理挙動をフォトルミネツセンス(PL)法により評価している。Inアンチサイト欠陥に起因する2つの準位は、350℃の熱処理で消失した。アンドープ試料中のInアンチサイト欠陥濃度は、Feドープ試料より百倍程生成率が小さいことがわかった。Feドープ試料の赤外吸収は、電子線照射量の増加にともない吸収端付近の吸収が増加し、アンドープ試料中では吸収端付近の吸収変化は認められない。 1443~1448頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、酒井清博、加藤崇、飯島隆、岡田守民、横山幸生
99 (MISC)その他記事
共著
Electrical activation process of C implanted in semi-insulating GaAs (Cイオン注入半絶縁性GaAs中の電気的活性化過程)

Ion Beam Modification of materials Elsevier Science B.V.

878-881頁
1995



本論文は、Cイオン注入半絶縁性GaAs中の電気的活性化過程について述べている。イオン注入層の結晶性の回復過程はラサフォード後方散乱法で評価している。イオン注入、未熱処理試料中でMott型のホッピング伝導が観測された。600℃の熱処理試料中でEL2様欠陥に起因するホッピング伝導の光クエンチング現象が観測された。C不純物の電気的活性化率は、800℃の熱処理試料で約10%であった。予備的核反応分析で大部分のCは格子点に存在しないことが示唆された。 878~881頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、加藤崇、富沢一成、高橋由紀見、青木康、竹下英文、山本春也、楢本洋
100 (MISC)その他記事
共著
Defect structure in neutron-irradiated β-○LiAl and β-○LiAl: Electrical resistivity and Li diffusion (中性子照射β-○LiAlおよびβ-○LiAl中の欠陥構造:電気抵抗とLi拡散)

Phys. Rev. B Vol.52 No.6

4050-4059頁
1995



本論文は、中性子照射β-○LiAlおよびβ-○LiAl中の欠陥構造を電気抵抗から評価している。照射後、化学量論比を有するβ-○LiAlの抵抗は著しく減少し、β-○LiAlのそれはほとんど変化しなかった。前者は、中性子転換注入原子によるLiアンチサイト欠陥とLi原子空孔から構成される複合欠陥の破壊に起因し、後者の同位体の場合は転換注入が生じない。照射前後の比抵抗から格子欠陥当たりの抵抗の寄与と欠陥濃度を算出した。 4050~4059頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:須貝宏行、棚瀬正和、矢萩正人、芦田敬、浜中広見、栗山一男、岩村国也
101 (MISC)その他記事
共著
Local lattice distortion relating to phosphorus antisite defect in phosphorus-ion-implanted GaP Layer (Pイオン注入GaP中のPアンチサイト欠陥に関連する局所格子歪)

Appl. Phys Lett. Vol.66 No.22

2995-2997頁
1995



本論文は、Pイオン注入GaP中のPアンチサイト欠陥に関連する局所格子歪をラサフォード後方散乱(RBS)、光音響分光(PAS)、ラマン分光、およびフォトルミネツセンス(PL)法により評価している。RBS法から算出した変位原子とLO-TOフォノン分離幅の減少から算出したものと一致した。この歪みは、Pアンチサイト欠陥に起因することがPL法より明らかにした。 2995~2997頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、加藤崇、田嶋悟、加藤智晴、武田信一
102 (MISC)その他記事
共著
Radiation effects on Li-vacancy ordering in β-LiAl (β-LiAl中のLi原子空孔規則配置の照射効果)

Phys. Rev. B Vol.52 No.5

3020-3022頁
1995



本論文は、β-LiAl中のLi原子空孔の規則配置の照射効果をLiイオン照射により研究している。Li原子空孔を多量に含む組成では、原子空孔同士の強い相互作用のため、イオン照射に起因する規則配置の崩壊は観測されないが、少量含まれる組成では、弱い相互作用のため、規則性が崩壊することを明らかにしている。 3020~3022頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、加藤崇、加藤智晴、須貝宏行、前田裕司、矢萩正人
103 (MISC)その他記事
共著
Observation of In antisite and Fe-related defects in 30-MeV electron-irradiated Fe-doped semi-insulating InP (30MeV電子線照射Feドープ半絶縁性InP中のInアンチサイトおよびFe関連欠陥の観察)

Phys. Rev. B Vol.52 No.20

14578-14581頁
1995



本論文は、30MeV電子線照射Feドープ半絶縁性InP中のInアンチサイトおよびFe関連欠陥をフォトルミネツセンス(PL)法により評価している。ダブルアクセプターであるInアンチサイト欠陥に起因する2つの準位に起因する発光が観測された。この欠陥は、350℃の熱処理で消失した。アンドープ試料中のInアンチサイト欠陥濃度は、Feドープ試料より百倍程生成率が小さいことがわかった。また、Fe関連欠陥に起因する発光が観測された。 14578~14581頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、酒井清博、岡田守民、横山幸生
104 (MISC)その他記事
単著
半導体のイオンビーム分析

放射線と産業 Vol.64

24-28頁
1994



本解説は、半導体の放射線加工の一環として使用される分析技術として、ラサフォード後方散乱法と粒子線励起X線分光法を用いた半導体の格子変位、不純物原子の格子位置および半導体多重量子井戸構造中の格子歪みの評価を述べている。 24~28頁
105 (MISC)その他記事
共著
Optical band gap of the filled tetrahedral semiconductor LiZnN (充填4面体半導体LiZnNの光学的バンドギャツプ)

Phys. Rev. B Vol.49 No.7

4511-4513頁
1994



本論文は、充填4面体半導体LiZnNの光学的バンドギャップについて論じている。『格子間原子挿入則』によって理論的に予測されている直接遷移型バンド構造を有することが確証され、1.91eV(室温)の光学的バンドギャップをもつことが実験的に明らかにされた。このギャップ値は、他の類似化合物LiZnAs、LiZnPとGaAs、GaPとの比較から予想される値よりも、直交球面波法で計算された値に近い。充填4面体型構造と閃亜鉛鉱型構造との結合様式の相違を考察している。 4511~4513頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、加藤智晴、田中毅
106 (MISC)その他記事
共著
Characterization of deep level defects in thermally annealed Fe-doped semi‐insulating InP by thermally stimulated current spectroscopy

J. Appl. Phys. Vol.76 No.6

3552-3555頁
1994



本論文は、熱処理されたFeドープ半絶縁性InP中の深い欠陥準位を熱刺激電流(TSC)法とフォトルミネツセンス(PL)法により評価している。4つのTSCピークが熱処理過程で観測された。この中の1つのピークは、りん原子空孔複合体と、残りの2つのピークは深いドナーアクセプター対遷移にそれぞれ関連された。最後のピークは、出発材料中のピークと同一のものであることを明らかにした。 3552~3555頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、富沢一成、柏倉麻里、横山幸生
107 (MISC)その他記事
共著
Optical band gap of the filled tetrahedral semiconductor LiZnAs (充填4面体半導体LiZnAsの光学的バンドギャップ)

Phys. Rev. B. Vol.49 No.16

11452-11455頁
1994



本論文は、充填4面体半導体LiZnAsの光学的バンドギャップについて論じている。この化合物半導体は、直接遷移型バンド構造を有し、1.51eV(室温)の光学的バンドギャップをもつことを明らかにした。また、814-nm帯にドナー―アクセプター対に関連するフォトルミネツセンスが12Kで観測され、測定されたギャップ値が妥当であることを示した。LiZnAsの大きなバンドギャップは、GaAsよりも大きなイオン性を有することを指摘した。 11452~11455頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、加藤智晴、川田康二
108 (MISC)その他記事
共著
Optical band gap and photo luminescence studies in blue-band region of Zn-doped LilnS2 single crystals (亜鉛ドープLiInS○単結晶の光学的バンドギャップと青色帯フォトルミネッセンス)

Solid State Commun. Vol.89 No.11

959-962頁
1994



本論文は、擬ウルツ鉱型構造を有するZnドープLiInS2単結晶の光学的バンドギャップと青色帯フォトルミネッセンスについて記述している。室温におけるバンドギャップ値は、3.39eVで直接型バンド構造を有していることを明らかにしている。高輝度の青色帯フォトルミネツセンス発光が室温で観測された。その発光の起源が考察されている。 959~962頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、加藤智晴
109 (MISC)その他記事
共著
Thermally stimulated current related to Cu antisite-vacancy complex defects in Cu-diffused in semi-insulating GaAs (Cuを拡散した半絶縁性GaAs中のCuアンチサイト-原子空孔複合体に起因した熱刺激電流)

Appl. Phys. Lett. Vol.65 No.6

746-748頁
1994



本論文は、Cuを拡散した半絶縁性GaAs中のCuアンチサイト-原子空孔複合体に起因する欠陥を熱刺激電流(TSC)法により評価している。新しい2つのTSCピークが観測されアクセプター準位と同定された。これらの準位の光イオン化断面積が算出され、起源が考察されている。 746~748頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、富沢一成、植松、鋭、高橋浩和
110 (MISC)その他記事
共著
Study of ion-beam-induced epitaxy in Si by slow positoron annihilation and RBS channeling (陽電子消滅とRBSチャネリングによるSi中のイオンビーム誘起エピタキシーの研究)

Nucl. Instr. and Method. B Vol.80/81

1006-1009頁
1993



本論文は、陽電子消滅とRBSチャネリングによるSi中のイオンビーム誘起エピタキシーについて論じている。非晶質相のエピタキシャル再結晶は、400℃の基板温度で400-KeVのArイオン照射を行うことにより達成した。陽電子消滅で算出したライフタイムから、イオンビーム誘起エピタキシー過程で空孔移動とクラスター化が促進されていることが明らかになった。また、RBSチャネリングにより非晶質状態から結晶状態への回復過程を明らかにした。 1006~1009頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:林伸行、鈴木良一、錦鍋博志、坂本勲、小林直人、三角智久、山崎鉄夫、栗山一男
111 (MISC)その他記事
共著
Ion channeling effect on lattice relaxation in strained In○Ga○As/InP multiple-quantum-well structure (歪In○Ga○As/InP多重量子井戸構造中の格子緩和におけるイオンチャネリング効果)

Appl. Phys. Lett. Vol.63 No.8

1071-1073頁
1993



本論文は、有機金属気相エピタキシャル成長法で作成したIn○Ga○As/InP多重量子井戸(MQW)構造中の格子緩和におけるイオンチャネリング現象について記述している。歪MQW構造で被覆された基板中のデチャネリングは、部分的に歪み緩和されたMQW構造に比べて、増進されることが見い出された。これは、〈100〉成長方向に垂直なゆがみが、MQW構造中に蓄積された歪みによって基板界面近くに誘起されることに起因する。 1071~1073頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:高橋由紀見、栗山一男、松井康浩、上條健
112 (MISC)その他記事
共著
Ion-beam-induced epitaxy in B-implanted silicon preamor-phized with Ge ions (Geイオンで非晶質化したBイオン注入Siのイオンビーム誘起エピタキシー)

Nucl. Instr. and Method. B Vol.80/81

994-997頁
1993



本論文は、Geイオン照射で非晶質化したBイオン注入Siのイオンビーム誘起エピタキシーについて記述している。このBイオン注入層は、400-KeVのArイオン照射でエピタキシーさせた。再結晶の活性化エネルギーは、通常の熱処理で得られるものより1桁小さい0.22eVであることが算出された。しかし、Bの電気的活性化率は10%であった。また、イオンビーム誘起エピタキシーにより非晶質層を選択的に回復できることを明らかにした。 994~997頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、高橋洋海、下山浩平、林伸行、長谷川雅考、小林直人
113 (MISC)その他記事
共著
Optical band gap of Zn○N○ films (Zn○N○膜の光学バンドギャツプ)

Phys. Rev. B Vol.48 No.4

2781-2782頁
1993



本論文は、立方anchibixbyite構造を有するZn○N○膜の光学的バンドギャツプの測定結果を記述している。薄膜は亜鉛薄膜とアンモニアとの反応で作成した。間接遷移型バンド構造を有し、およそ3.2eVのギャップ値をもつことが明らかになった。バンドギャツプ値は、他のⅡ-V化合物と比較され、ワイドギャップの起源について議論している。 2781~2782頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、高橋由紀見、春原文雄
114 (MISC)その他記事
共著
Thermally stimulated current in fast neutron irradiated semi-insulating GaAs: Ga antisite related new trap (高速中性子照射半絶縁性GaAs中の熱刺激電流:Gaアンチサイト欠陥に関連した新しいトラップ)

Appl. Phys. Lett. Vol.63 No.14

1966-1968頁
1993



本論文は、高速中性子照射半絶縁性GaAs中の欠陥を熱刺激電流(TSC)法とフォトルミネツセンス(PL)法により評価している。新しいTSCピークが熱処理過程で観測され、Gaアンチサイト欠陥に関連した準位であることを明らかにした。一方、未熱処理試料中で、Asアンチサイトに起因する複合欠陥が生成されることを明らかにした。 1966~1968頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、富沢一成、古賀一成、林伸行、錦鍋博志、池田裕二郎、前川洋
115 (MISC)その他記事
共著
Raman scattering from the filled tetrahedral semiconductor LiZnP (充填4面体半導体LiZnPのラマン 散乱)

Phys. Rev. B Vol.47 No.20

13861-13863頁
1993



本論文は、充填4面体半導体LiZnPの結合特性をラマン散乱分光法で評価したものである。2つの縦型および2つの横型光学フォノンピークが観測された。これらの横型および縦型フォノン周波数の分離幅からボンド特性を評価した。Li-Pボンドは、比較的大きなイオン結合性を有し、Zn-Pボンドは、比較的大きな共有結合性を有することが明らかになった。 13861~13863頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、高橋由紀見、富沢一成
116 (MISC)その他記事
共著
Preparation and characteri-zation of the filled tetrahedral semiconductor LiZnP film on lnP(111) (lnP(111)上への充填4面体半導体LiZnP薄膜の作成と膜質評価)

J. Cryst. Growth Vol.128

1125-1129頁
1993



本論文は、直接遷移型ワイドキャツプ半導体LiInP薄膜のInP(111)A基板上への成長法と膜質を評価したものである。(111)面を反映した、三角形を有する20x20μ㎡の単結晶領域を含む薄膜が450~520℃の基板温度で作成できた。700nmにピークを有するフォトルミネッセンスが観測された。このピークの起源が考察されている。 1125~1129頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、高橋由紀見、加藤智晴
117 (MISC)その他記事
共著
Blue-band emission of a LilnS2 single crystals grown by the indium solution method (インジウム溶融法によって成長したLiInS2単結晶の青色帯発光)

Jpn. J. Appl Phys. Vol.32 Suppl. 32-3

615-617頁
1993



本論文は、ZnドープおよびアンドープLiInS2単結晶のインジウム溶融成長法について記述している。インジウム融液と出発材料の最適重量比を明らかにしている。育成結晶中で、青色のフォトルミネツセンス発光が観測された。発光の起源が考察されている。 615~617頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、加藤智晴
118 (MISC)その他記事
共著
Optical band gap and blue-band emission of a LilnS2 single crystal (LilnS2単結晶の光学的バンドギャツプと青色発光)

Phys. Rev. B Vol.46 No.23

15518-15519頁
1992



本論文は、擬ウルツ鉱型構造を有するLiInS2の光学的バンドギャツプについて述べている。この結晶は、77Kで3.73eVの直接遷移型バンド構造を有することが確証された。室温において、160meVだけギャツプ値が減少する。S原子空孔に起因すると考えられる、青色のフォトルミネツセンス発光が観測された。 15518~15519頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、加藤智晴、高橋昭博
119 (MISC)その他記事
共著
Observation of Ga antisite defect in electron-irradiated semi-insulating GaAs by photoluminescence (フォトルミネツセンスによる電子線照射半絶縁性GaAs中のGaアンチサイト欠陥の観察)

Appl. Phys. Lett. Vol.61 No.7

843-845頁
1992



本論文は、30MeVの電子線照射で半絶縁性GaAs中に生成される陰イオンアンチサイト欠陥をフォトルミネッセンス(PL)法で評価している。ダブルアクセプターGaAsに関連するPLエミツションが観測された。電子線照射によって生成されたGaAs欠陥は、中性子照射のそれよりもおよそ10○小さいことが明らかになった。 843~845頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、横山幸生、富沢一成、竹内岳夫、高橋浩和
120 (MISC)その他記事
共著
Photoinduced recovery of photoquenched hopping conduction in neutron irradiated semi insulating GaAs (中性子照射半絶縁性GaAs中のフォトクエンチされたホッピング伝導の光誘起回復)

Phys. Rev. B Vol.45 No.11

6251-6254頁
1992



本論文は、中性子照射半絶縁性GaAs中で観測されたホッピング伝導のクエンチング現象が、1410-nmのレーザ照射で回復することを述べている。この現象は、中性子照射試料を250℃で熱処理したときに生成される欠陥準位“EL2”様欠陥が、ネイティブな“EL2”欠陥と同一のものであることを示唆した。また、異なる波長を用いた実験により、中性子誘起EL2欠陥はいくつかのクエンチング成分から構成されていることを提案した。 6251~6254頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、横山幸生、谷口和与至
121 (MISC)その他記事
共著
Annealing behavior of Ga and Ge antisite defects in neutron-transmutation-doped semi-insulating GaAs (中性子転換注入半絶縁性GaAs中のGaおよびGeアンチサイト欠陥のアニール挙動)

J. Appl. Phys. Vol.70 No.12

7315-7317頁
1991



本論文は、中性子転換注入半絶縁性GaAs中のGaAsおよびGeAsアンチサイト欠陥の熱的挙動をフォトルミネッセンス法で評価したものである。30-meV GeAsとダブルアクセプタの78-meV GaAsの準位が電子で部分的あるいは完全に占有されなければ深い準位を形成する200-meV GaAsからの発光は観測できないことを明らかにした。 7315~7317頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、横山幸生、富沢一成
122 (MISC)その他記事
共著
Annealing behavior of photoconductance relating to electron irradiation-induced defects in semi-insulating GaAs

J. Appl. Phys. Vol.70 No.2

1051-1053頁
1991



本論文は、電子線照射半絶縁性GaAsの光伝導の熱処理依存性と電子線誘起欠陥との関係を論じている。低温熱処理における光伝導の低下は、0.98eV欠陥の光吸収に起因し、400度における熱処理による光伝導の増加はこの欠陥の消失による。600度以上の熱処理でヒ素原子空孔-炭素アクセプタ複合体が形成されることをフォトルミネッセンス測定から明らかにした。 1051~1053頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、高橋浩和、入江裕二、川久保鐵也
123 (MISC)その他記事
共著
Prepatation and characteri-zation of the filled tetra-hedral semiconductor LiZnP film on GaP(111)

J. Cryst. Growth Vol.113


1991



本論文は、直接遷移型ワイドギャップ半導体LiZnP薄膜のGaP(111)への作成と結晶性評価について述べている。薄膜は数十ミクロンのいくつかの単結晶領域から成り、〈111〉方向に配向している。燐原子空孔(ドナー)-アクセプタ複合体に起因すると思われるフォトルミネッセンスが観測された。薄膜の吸収端は約600nm付近に見られる。 共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、峯尾尚之、高橋由紀見
124 (MISC)その他記事
共著
Crystal growth and characterization of the filled tetrahedral semiconductor LiZnP

J. Cryst. Growth Vol.108

37-40頁
1991



本論文は、充填四面体型半導体LiZnPの結晶成長と結晶評価について述べている。育成結晶は透明な赤色を呈し、立方晶で逆蛍石型である。室温から95Kまでの温度変化により、直接遷移型バンドギャップは2.04から2.12eVまで変化し、多くの結晶がp型を示した。電気抵抗、キャリア濃度、ホールの移動度の値も論じている。 37~40頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、加藤俊光、峯尾尚之
125 (MISC)その他記事
共著
Thermal stimulated current in neutrontransmutation-doped semi-insulating GaAs

Appl. Phys. Lett. Vol.59

1326-1328頁
1991



本論文は、熱中性子転換注入半絶縁生GaAs中の照射欠陥を熱刺激電流法で評価したものである。いくつかのネイティブ欠陥は中性子照射により破壊されるが、ヒ素アンチサイトーヒ素空孔子複合体に起因する欠陥が生成されることを明らかにした。 1326~1328頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、横山幸生、佐藤明美
126 (MISC)その他記事
共著
Photoluminescence study of native defects in the filled tetrahedral semiconductor LiZnP

J. Appl. Phys. Vol.69 No.11

7812-7814頁
1991



本論文は、直接遷移型ワイドギャップ半導体LiZnPのネイティブ欠陥に起因する放射再結合について論じている。77Kのフォトルミネッセンス測定により燐原子空孔-価電子帯間、燐原子空孔-アクセプタ複合体間遷移を観測した。これらの放射再結合は、結晶中の燐原子空孔(ドナー)とアクセプタ濃度の大小関係により決定される。 7812~7814頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、峯尾尚之、高橋由紀見
127 (MISC)その他記事
共著
Structure and electrical properties of Si layers implanted with various Ge ion doses

Nucl. Instr. and Meth. B (1991)

○○-○○頁
1990



本論文は、種々のGeイオンドーズで非晶質化したSi表面層の結晶構造と電気的性質をラザフォード後方散乱法および電気的性質から評価したものである。100KeVで非晶質化された表面層は550度60分間の熱処理で回復し、注入層の電気的性質は変化を示さないことを明らかにした。 共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、次田雅美、林伸行
128 (MISC)その他記事
共著
Photoquenching of hopping conduction in neutron-irradiated semi-insulating GaAs

Proceedings of The 20th International Conference on the Physics of Semiconductors

2558-2561頁
1990



本論文は、中性子照射無添加およびインジウム添加半絶縁性GaAs中のホッピング伝導のクエンチングについて論じたものである。高ドーズ照射では深い欠陥準位EL2は完全に破壊されホッピング伝導のクエンチングは消失する。250度以上の熱処理によりクエンチング成分が生成される。この成分の原子構造を議論している。 2558~2561頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、佐藤政孝、横山幸生
129 (MISC)その他記事
共著
Photoluminescence study of the neutron-induced Ga antisite defect in semi-insulating GaAs

Semi-Insulating Ⅲ-V Materials Toronto 1990 I0P Publishing Ltd

47-52頁
1990



本論文は、中性子転換注入半絶縁性GaAs中に生成されたガリウムアンチサイト欠陥をフォトルミネセンス法で評価を行ったものである。この欠陥はガリウム原子空孔を通してヒ素アンチサイト欠陥と結合する。この過程は、転換不純物の活性化に重要な役割を果たすことを明らかにした。 47~52頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:佐藤政孝、横山幸生、栗山一男
130 (MISC)その他記事
共著
Photoquenching phenomenon enhanced by proton irradiation in semi-insulating GaAs

J. Appl. Phys. Vol.68 No.12

6517-6519頁
1990



本論文は、プロトン照射半絶縁性GaAsの光伝導および光吸収のクエンチングがプロトン照射により増進されることを報告している。この現象は350度の熱処理で消失する。この現象は中性の深い欠陥準位EL2○の増加に起因する。 6517~6519頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、河原博之、林伸行、錦鍋博志、坂本勲、河野功
131 (MISC)その他記事
共著
The role of Ga anti-site defect in the activation process of transmuted impurities in neutron-transmutation-doped-semi-insulating GaAs

J. Appl. Phys. Vol.68 No.1

363-366頁
1990



本論文は、中性子転換注入された半絶縁性無添加およびインジウム添加GaAsのフォトルミネッセンスによる評価を行ったものである。77Kにおける測定でガリウムアンチサイト欠陥に起因する2つのスペクトルを観察した。この欠陥は650度付近の熱処理による低抵抗の急峻な変化に重要な役割を果している。 363~366頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:佐藤政孝、横山幸生、栗山一男
132 (MISC)その他記事
共著
Channeling study of local distortion in indium-doped semi-insulating GaAs

J. Appl. Phys. Vol.67 No.8

3890-3892頁
1990



本論文は、インジウム添加半絶縁性GaAs中の局所歪をラサフォード後方散乱法で評価したものである。インジウム添加量の増加に従い、後方散乱最小イオン収率が増加することがわかった。この局所歪の増加は、結晶成長法には依存しない。 3890~3892頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:佐藤政孝、栗山一男
133 (MISC)その他記事
共著
Depth uniformity of electrical properties and doping limitation in neutron-transmutation-doped semi-insulating GaAs

J. Appl. Phys. Vol.66 No.7

3542-3544頁
1990



本論文は、中性子転換注入半絶縁性GaAsの電気的性質のウエハー基板の深さ方向の均質性を評価したものである。比抵抗、キャリア濃度、移動度が5%以内の実験誤差で一定であることがわかった。転換注入不純物の析出や再分布は見られなかったが、10○cm○以下の低濃度注入の場合、深い欠陥準位“EL2”によって活性化が制限される。 3542~3544頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:佐藤政孝、栗山一男
134 (MISC)その他記事
共著
Preparation and characterization of the filled tetrahedral semiconductor LiZnP film on quartz

J. Appl. Phys. Vol.66 No.7

3945-3947頁
1989



本論文は、直接遷移型ワイドキャップ半導体LiZnPの石英基板上への薄膜作成について記述している。X線回折、ラサフォード後方散乱法、走査型電子顕微鏡を用いて薄膜の評価を行った。単一相薄膜は、400~440℃の基板温度で40分間の熱処理により作成され、<111>方向に配向しやすいことが分かった。また、薄膜の光学的透過率はバルクのそれ(~600nm)より短波長側へシフトしていることが明らかになった。 3945~3947頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、加藤俊光、辻壮介
135 (MISC)その他記事
共著
Quenching phenomenon of hopping conduction in neutron-transmutation-doped simi-insulation GaAs

Phys. Rev. B Vol.40 No.5

3473-3475頁
1989



本論文は、高速中性子照射された中性子転換注入半絶縁性GaAs中で125K以下でホッピング伝導がクエンチングされることを初めて報告したものである。クエンチング成分は、照射試料(未熱処理)では観測されないが、250℃以上の熱処理により観測された。EL2(あるいはEL2様)欠陥が、アンチサイトAs原子と可動性欠陥(格子間As原子あるいは複原子空孔)との相互作用で形成されることを示唆した。 担当3473~3475頁 共著者:佐藤政孝、栗山一男
136 (MISC)その他記事
共著
Electrical properties of B-ion-implanted Si layer preamorphized by Ge ions

J. Appl. Phys. Vol.66 No.4

1876-1878頁
1989



本論文は、100KeVのGeイオン注入により非晶質化されたBイオン注入Si層をラサフォード後方散乱法とVan der Pauw法により評価したものである。Si副格子点の低い構造回復率はSi、Ge、B間の四面体共有結合半径の差から生じることを示唆した。Ge、B二重イオン注入層の電気特性は、電子とホールから成る2キャリアモデルによって説明でき、Bアクセプターの電気的活性化に伴い、pからnへの伝導型の転換が125℃から12℃へ変化することを明らかにした。 1876~1878頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、青木俊輔、佐藤政孝、紅林泉好
137 (MISC)その他記事
共著
Hall mobility of positive carriers in the semimetallic compound LiGa

Phys. Rev. B Vol.39 No.18

13508-13509頁
1989



本論文は、LiGaのホール係数と移動度の温度依存性について論じている。LiGaの多数キャリアがホールであり、移動度は格子-フォノン散乱によって支配されていることを示した。ホールポケットと電子ポケットの重なりはLiGaの方がLiAlよりも大きいことが示唆され、正のホール係数はLi原子空孔に起因するフェルミエネルギーの低下に関係していることを提案した。 13508~13509頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、矢萩正人、S.Susman、K.J.Volin.、T.O.Brun
138 (MISC)その他記事
共著
Photoluminescence study of the annealing behavior of transmuted impurities in neutron-transmutation-doped semi-insulation GaAs

J. Appl. Phys. Vol.65 No.6

2248-2253頁
1989



本論文は、中性子転換注入GaAsのバンドーGeアクセプタ間遷移の熱処理による挙動をフォトルミネスセンス法により評価したものである。高速中性子照射量が少ない場合は、Gaサイト上で98%のGeがドナーとして活性化するが、照射量が多い場合はバンドーGeアクセプタ遷移の低エネルギー側へのシフトがバンド端の乱れにより生じる。790℃以上の熱処理によりこの乱れは除去できるが、Geアクセプタを増加させGeドナーの電気的活性化を75%まで低下させることが明らかになった。 2248~2253頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:佐藤政孝、栗山一男、牧田雄之助
139 (MISC)その他記事
共著
RBS/PIXE法によるInドープGaAs中の格子ひずみの評価

応用物理 第57巻第9号

1374-1381頁
1988



ラザフォード後方散乱(RBS)法/粒子線励起X線分光(PIXE)法を使用して、GaAsへのIn添加による結晶性を評価した。In添加GaAs中に格子ひずみが生じ、In原子はGa原子位置に置換していることを明らかにした。またチャンネリング測定から、In原子の周りのAs原子は主に<111>方向に変位しているが、<110>方向にもわずかに変位していることがわかった。 1374~1381頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、佐藤政孝
140 (MISC)その他記事
共著
Optical band gap and electrical transport properties of filled tetrahedral semiconductor LiZnP

Proceedings of The 19th International Conferenece on the Physics of Semiconductors

933-936頁
1988



本論文は、充填四面体化合物LiZnP〔擬 He 原子Li○が部分的に擬閃亜鉛鉱構造(ZnP)○中に充填している〕の光学的バンドギャップを論じている。“格子間挿入法”によって理論的に予測されたLiZnPのバンドギャップが、室温2.04eVの禁制帯を有する直接遷移型であることを実証した。抵抗率、ホール移動度、キャリア密度は、それぞれ10○~10Ωcm、10~70c㎡/Vsec、10○~10○cm○のオーダであり、充填四面体構造の化学結合の性質を論じている。 933~936頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、加藤俊光
141 (MISC)その他記事
共著
Structural and electrical properties of Ge-ion-implanted Si layer

Mucl. Instr. and Meth. B39,(1988)

397-399頁
1988



本論文は、40KeVと100KeVのGeイオン注入によって非晶質化されたシリコン層をラサフォード後方散乱法とVan der Pauw法を用いて評価したものである。Si格子中のGe原子の低い構造回復は、SiとGeの原子サイズの差から生じることを示唆した。イオン注入層の電気的特性から、バンド端の乱れによって生じた変形ポテンシャルに起因する状態密度のテイルの存在を提案した。 397~399頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、青木俊輔、佐藤政孝、中野雅彦
142 (MISC)その他記事
共著
Quenching phenomenon of photoconductance in indium doped semi-insulating GaAs

Semi-Insulating Ⅲ-V Materials Malm○ 1988

189-194頁
1988



本論文は、インジウム添加GaAs中の光伝導が転位の減少に関連して増進されることを記述している。電子捕獲中心(EL2)の安定状態は、インジウム添加によって蓄積された内部応力を解放し、大きな格子緩和によって準安定状態へ遷移することを提案した。 189~194頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:佐藤政孝、河原博之、栗山一男
143 (MISC)その他記事
共著
Anomalous electrical resistivity and photo-voltaic phenomenon in the fast-mixed conductor lithium silicide Li○Si○

Phys. Rev. B Vol.38 No.18

13436-13438頁
1988



本論文は、半磁性半導体として分類されている複合伝導体リチウムシリサイド(Li○Si○)の異常電気抵抗率と光起電力現象について論じている。230K付近での抵抗の急峻な変化はLi原子空孔の規則配置に起因している。また、金属的伝導は、化学量論比からのずれから生じた縮退した半導体として特性つけられる。光起電力現象は、デンバー効果によって説明される。 13436~13438頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、前田智美、水野敦
144 (MISC)その他記事
共著
γ-ray enhanced quenching phenomenon of photoconductance in undoped and In doped semi-insulating GaAs

Appl. Phys. Lett. Vol.53 No.12

1074-1076頁
1988



本論文は、種々の転位密度を有する無添加並びにインジウム添加GaAsのγ線照射による光伝導のクエンチングの増進についての報告である。特にこの効果は、転位密度10~10○/c㎡の試料に対し顕著に観察された。Γ線によって誘起された新しい状態が100K付近で見出され、300℃以上の熱処理で消失した。光伝導の時間依存性から、この新たに導入された欠陥準位は電子捕獲準位EL2が準安定状態への遷移を補助していることを提案した。 1074~1076頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、河原博之、佐藤政孝、川久保鐵哉
145 (MISC)その他記事
共著
Quenching phenomenon of photoconductance in indium doped dislocation free GaAs

Solid State Commun. Vol.67 No.2

139-141頁
1988



本論文は、インジウム添加半絶縁性GaAsにおいて、転位の低減により光伝導のクエンチングが増進することを報告している。この現象の原因として、インジウム添加による転位の減少に伴う結晶内部応力の増加に起因することを提案した。 139~141頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:佐藤政孝、河原博之、栗山一男、金致洙
146 (MISC)その他記事
共著
Optical band gap of the filled tetrahedral semiconductor LiZnP

Phys. Rev. B Vol.37 No.12

7140-7142頁
1988



本論文は、『格子間原子挿入法』によって理論的に予想された、閃亜鉛鉱構造(ZnP)○中へHe原子等価Li○が挿入された充填四面体構造LiZnPの光学的バンドギャップについての初めての報告である。ここで、バンドギャップ値が2.04eVの直接遷移型であることを明らかにした。合わせて室温における伝導度と移動度を報告した。 7140~7142頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、加藤俊光
147 (MISC)その他記事
共著
Influence of photoex‐citation on hopping conduction in neutron-transmutation-doped GaAs

J. Appl. Phys. Vol.63 No.4

1099-1103頁
1988



本論文は、中性子転換注入GaAs中のホッピング伝導の光励起下の特性について論述している。400℃の熱処理で活性化した転換不純物準位の電子は光励起下でも禁制帯中の準位のホッピング伝導に寄与していることを明らかにした。また、120K以下の光励起下のホッピング伝導においてEL2(GaAs中の電子捕獲準位)に起因すると考えられるクエンチングを観察した。 1099~1103頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:佐藤政孝、河原博之、栗山一男、川久保鐵也、米田憲司、木村逸郎
148 (MISC)その他記事
共著
Hot wall epitaxy of LiInSe2 films

Ternary and Multinary Compounds

225-229頁
1987



本論文は、ホットウォール技術を用いたLiInSe2エピタキシャル薄膜成長と膜質評価について記述している。閃亜鉛鉱構造の<111>方向とウルツ鉱の超格子構造を有するLiInSe2の軸とがエピタキシャル関係にあることを薄膜成長を通して実験的に明らかにした。 225~229頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、五十嵐泰史、中村文雄
149 (MISC)その他記事
共著
Photovoltaic effect on the fast mixed conductor LiAl

Phys. Rev. Lett. Vol.59 No.4

458-460頁
1987



本論文は、半金属的バンド構造を有する高速複合伝導体LiAl中の光起電力現象の最初の報告である。290Kにおける約1000nmの光照射によりマイクロボルトの起電力が発生し、光照射のオン・オフに対して可逆的であり光の遮断周期と同期している。この光起電力効果は、光照射によるLi原子の内部拡散の増進に起因することを提案した。 458~460頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、前田智美、浅川克己、矢萩正人、岩村国也
150 (MISC)その他記事
共著
Ion channeling study of damage in neutron irradiated GaAs

Nucl. Instr. and Meth. Vol.B22

553-555頁
1987



本論文は、高速中性子照射GaAsの放射線損傷をヘリウムイオンチャネリングと電子スピン共鳴法により評価を行い、原子の一次はじき出し(PKO)により約1.000個の変位原子が生じ、PKO当り約100個のガリウム原子を置換したヒ素原子が生じることを明らかにした。 553~555頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、佐藤政孝、矢萩正人、岩村国也、金致沫、川久保鐵也、米田憲司、木村逸郎
151 (MISC)その他記事
共著
Influence of fast neutrons on electrical properties in neutron transmutation doped GaAs: New annealing stage

Appl. Phys. Lett. Vol.50 No.10

580-582頁
1987



本論文は、半絶縁GaAsへ中性子転換注入を試み、ホッピング伝導に起因する新しい熱処理過程が400℃で生じることを明らかにしている。高速中性子照射量の増加に伴い期待される注入不純物の活性温度も増加することを明らかにした。 580~582頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、矢萩正人、岩村国也、金致沫、川久保鐵也、米田憲司、木村逸郎
152 (MISC)その他記事
共著
Electrical transport properties and crystal structure of LiZnAs

Phys. Rev. B Vol.36 No.8

4439-4441頁
1987



本論文は、Filled Tetrahedral 構造を有するLiZnAsの電気的性質の初めての報告である。LiZnAsは約1.1eVの禁制帯を持つP型の半導体で、室温の比抵抗、移動度およびホール濃度はそれぞれ0.1~10Ωcm、<30c㎡/Vsec、10○cm○である。育成した幾つかの結晶においてLiとZn原子間の不規則配置が観測された。 4439~4441頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、中村文雄
153 (MISC)その他記事
共著
Ion channeling study of indium doped semi-insulating GaAs

Semi-Insulating Ⅲ-V Materials Hakone, 1986(オーム社)

35-40頁
1986



本論文は、インジウム(In)添加及び無添加GaAsの1.5MeVヘリウムイオンチャネリング現象を<100>、<110>、<111>、の3軸について記述している。In添加GaAsの最小後方散乱イオン収率の増加は、In原子の周囲の原子歪に起因していることを示し、あわせて変位方向を明らかにした。 35~40頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:佐藤政孝、栗山一男、金致沫
154 (MISC)その他記事
共著
Electrical-transport properties in the semimetallic compound LiGa

Phys. Rev. B Vol.33 No.10

7291-7293頁
1986



本論文は、LiGaの15K~室温の電気抵抗率と室温のホール係数測定から二種類の格子欠陥の存在を提案している。230K付近の異常電気抵抗の起源はLi原子空孔の規則ー不規則転移に起因しており、電気伝導の主役がホール(正孔)であることを明らかにした。 7291~7293頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、K.J.Volin、T.O.Brun、S.Susman
155 (MISC)その他記事
共著
Epitaxial growhth of LiInSe2 on (111) A oriented GaP by a hot wall technique

Appl. Phys. Lett Vol.48 No.18

1199-1201頁
1986



本論文は、閃亜鉛鉱型超格子構造を有するLiInSe2のGaP基板上へのホットウオール法によるエピタキシャル成長法を記述している。膜質の評価は反射電子線回折、ラサフォード後方散乱法、オージェ電子分光法を用いて行い、最適成長条件を明らかにした。 1199~1201頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、五十嵐泰史、中村文雄、岡田明
156 (MISC)その他記事
共著
Ion-Beam-induced reactions in iron-silicon system

Hyperfine. Interaction(J.C.Baltzer)Scientific Publishing Company Vol.29

1183-1186頁
1986



本論文は、メスバウアー分光法を用いてFe-Si界面のイオンビームミキシング現象を記述している。イオンビーム照射後、鉄シリサイドが界面に形成され、多層Fe-Si構造の場合にはイオンミキシングにより強磁性アモルファス層が形成されることを明らかにした。 1183~1186頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:林伸行、坂本勲、田上尚男、栗山一男
157 (MISC)その他記事
共著
Ion channeling effect of In dopant in Semi-insulating GaAs

Appl. Phys. Lett. Vol.48 No.6

411-412頁
1986



本論文は、インジウム(In)添加及び無添加半絶縁性GaAsの1.5MeVヘリウムイオンチャネリング効果について記述している。In添加によりGaAsは無転位化が実現できるが、~10○/○のIn原子を添加すると、In原子による局所歪が生じ、チャネリング現象に大きな影響を与えることを初めて明らかにした。 411~412頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、佐藤政孝、金致洙
158 (MISC)その他記事
共著
Study of neutron transmutation doping in a-Si:H

Proceedings of the 17th International Conference on the Physics of Semiconductors

851-854頁
1985



本論文は、グロー放電法で作成した水素化アモルファスシリコンの中性子転換注入について記述している。中性子照射前後の電気的性質と構造変化の熱処理温度依存性から、効率よくリン原子が注入されることを明らかにした。 851~854頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:浜中広見、栗山一男、矢萩正人、佐藤政孝、岩村国也、金致沫、金英二、白石文夫、辻一彦、箕村茂
159 (MISC)その他記事
共著
Neutron transmutation doping in hydrogenated amorphous silicon (水素化アモルファスシリコンへの中性子転換注入)

Semiconductor Processing Vol.111

558-565頁
1984



本論文は、水素化アモルファスシリコンへの中性子照射による不純物元素導入法の研究である。熱中性子照射量は5×10○n/c㎡で10時間である。中性子転換注入により生成したりん原子濃度は10○/○である。中性子照射前後の暗及び光導伝率と電子スピン共鳴を測定し、アモルファス薄膜成長温度以下で照射損傷が十分回復していることを明らかにした。伝導度測定から求めた活性化エネルギーは0.69eVである。 558~565頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:浜中広見、栗山一男、矢萩正人、、岩村国也、金致沫、白石文夫、辻一彦、箕村茂
160 (MISC)その他記事
共著
Doping effect on electrical properties in the semimetallic compound LiAl (半金属LiAlの電気的性質におけるドーピング効果)

Phys. Rev. B Vol.29 No.4

2297-2299頁
1984



本論文は、半金属的帯構造を有するLiAlにGa並びにInをドープしたときの電気的性質を記述している。ホール係数、比抵抗値から推定すると、Ga並びにInドープLiAlの電気伝導機構は、前者がホールのみで、後者はホールと電子によって行われることを明らかにした。 2297~2299頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、矢萩正人、岩村国也
161 (MISC)その他記事
共著
Preparation and optical properties of LiInS thin films (LiInS2薄膜の作成と光学的性質)

Thin Solid Films Vol.111

331-337頁
1984



本論文は、LiInS2薄膜作成法と光学的バンドギャップを記述している。X線解析、ラサフォード後方散乱法、走査型電子顕微鏡で薄膜の評価を行い、透過率から光学的吸収端を決定した。LiInS2のバンドギャップは3.2evで直接遷移型帯構造を有することを明らかにした。 331~337頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、斉藤譲一
162 (MISC)その他記事
共著
Doping of phosphorus in hydrogenated amorphous silicon by a neutron transmutation doping technique (中性子転換注入技術による水素化アモルファスシリコンへのりんの注入)

Appl. Phys. Lett Vol.45 No.7

786-788頁
1984/10



本論文は、水素化アモルファスシリコンへの中性子転換注入法による不純物元素導入と照射損傷を論じている。熱処理による照射損傷からの回復を、電気的及び電子スピン共鳴から明らかにしている。中性子量1.8×10○n/c㎡と9.0×10○n/c㎡に対する転換注入されたりん原子濃度は、それぞれ3.1×10○と1.6×10○n/○であり、活性化エネルギーは、それぞれ0.57と0.50eVであることを明らかにした。 786~788頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:浜中広見、栗山一男、矢萩正人、佐藤政孝、岩村国也、金致沫、金英二、白石文夫、辻、一彦、箕村茂
163 (MISC)その他記事
共著
Ion channeling study of damage in neutron transmutation doped semiconductor Application to GaAs (中性子転換注入半導体の放射線損傷のイオンチャネリング研究:GaAsへの応用)

Semiconductor Processing

587-594頁
1984/10



本論文は、n形GaAsへの中性子照射による損傷をイオンチャンネリング法により評価したものである。照射量は5×10○n/c㎡ secで18時間である。熱処理(800℃)による損傷の回復は、電気的性質とフォトルミネッセンス法により明らかにされた。照射損傷による原子の平均変位は0.15Åであることがラザフォード後方散乱法により算出された。 587~594頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:矢萩正人、佐藤政孝、栗山一男、岩村国也、金致沫、白石文夫
164 (MISC)その他記事
共著
Electroluminescence from LiInSe2-GaP heterodiodes (LiInSe2-GaPヘテロダイオードからのエレクトロルミネッセンス)

J. Appl. Phys. Vol.56 No.6

1884-1885頁
1984/09



本論文はp形LiInSe2-n形GaPとのヘテロダイオードのエレクトロルミネッセンスに関する研究である。この発光ダイオードは610nmの可視光を放射し、外部量子効率は77Kで10○%である。この発光はLiInSe2結晶中のフォトルミネッセンスの発光と同一の発光帯であることを明らかにしている。 1884~1885頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:五十嵐泰史
165 (MISC)その他記事
共著
Irreversible behavio on electrical resistivity in the fast-Li-ion conductor LiAl (高速イオン伝導体LiAlの電気抵抗の不可逆的挙動

Phys. Rev. B. Vol.29 No.10

5924-5926頁
1984/05



本論文は、β-LiAlの300K以上の電気抵抗率の温度依存性を論じている。電気抵抗率の不可逆的挙動が、600K付近で出現した。この現象は、温度上昇によるLi原子空孔の形成による有効散乱体の減少と関係していることを明らかにし、この散乱体は、Liの外部拡散と2種類の格子欠陥に起因していることを提唱している。 5924~5926頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:矢萩正人、中谷尊一、芦田敬、佐藤和幸、岩村国也
166 (MISC)その他記事
共著
Mossbauer study of irradiation effects in type 304 stainless steels (ステンレス合金の照射効果のメスバウアー法による研究)

Proceedings of the International on Engineering Congress

1919-1924頁
1983



本論文は、ヘリウムイオン照射後の304ステンレス表面における照射損傷をメスバウアー効果により解析を行った。損傷によりステンレス表面に強磁性体層が形成され、この領域は、ヘリウムイオン照射量の増加と共に大きくなることを明らかにした。 1919~1924頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:林伸行、坂本勲、高橋徹夫
167 (MISC)その他記事
共著
A photoluminescence study on Lithium Ternary Compounds (リチウム3元化合物のフォトルミネッセンス研究)

IL NUOVO CIMENT, D Vol.2D

2029-2033頁
1983



本論文はLi三元化合物のフォトルミネッセンス(PL)について記述している。LiInS2とLiInSe2結晶のPLの発光中心と結晶の色との関係を各結晶の電子状態から検討を加えた。発光中心と着色の原因はFe○イオンであることをFSR実験から明らかにした。 2029~2033頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:上條健、野崎孝明
168 (MISC)その他記事
共著
Preparation and characterization of the LiInSe2 thin films (LiInSe2薄膜の作成と特性)

IL NUOVO CHIMENT, D Vol.2D No.6

1723-1727頁
1983



本論文はLiInSe2半導体薄膜の作成法とその特性について記述している。N型Si並びにGaP上へP型LiInSe2薄膜を蒸着し、X線解析、ラザフォード後方散乱法、走査型電子顕微鏡で膜の評価を行った。また、整流性の確認、GaPとのヘテロ接合による可視光発光の可能性を論じている。 1723~1727頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:松原昭二、野崎孝明、上條健
169 (MISC)その他記事
共著
Annealing effects on electrical properties of thermal neutron transmutation doped Ge (中性子転換注入Geの電気的性質における熱処理効果)

J. Appl. Phys. Vol.54 No.2

673-676頁
1983



本論文は、n型Geに中性子転換注入法を適用し、伝導型の反転と放射線損傷回復過程を記述している。熱処理による放射線損傷回復過程は、ホール係数の磁場依存性、ラサフォード後方散乱法を用いて研究し600℃の熱処理で十分回復していることを示した。 673~676頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、矢萩正人、岩村国也、金英治、金致洙
170 (MISC)その他記事
共著
Hall mobility of positive carriers in the semimetallic compound LiAl (半金属LiAl中の正電荷キャリヤーのホール移動度)

Phys. Rev. B Vol.26 No.4

2235-2238頁
1982



本論文は、半金属的バンド構造を有するLiAl中のホール伝導異常と帯構造間の相関を記述している。95K付近のホール係数不連続の原因、すなわちホール濃度の急激な増加は、Li原子空孔の規則配置によるホールに対するフェルミエネルギーの増加によって生じることを明らかにした。 2235~2238頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、野崎孝明、上條健
171 (MISC)その他記事
共著
Dielectric constants and bond parameters of LiInSe2 (LiInSe2の誘電定数とボンドパラメーター)

J. Appl. Phys. Vol.53 No.1

761-763頁
1982



本論文は、LiInSe2とLiGaSe○の結合特性をPhillips-VechtenとLevineの誘電モデルを用いて解析を行っている。また、各ボンドイオン度並びにボンド感受率等から四面体結合の構造安定性を議論し、結晶を構成している各ボンド中の有効電荷量を明らかにした。 761~763頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:上條健、野崎孝明、栗山一男
172 (MISC)その他記事
共著
Anomalous heat capacity in LiAl near critical composition (臨界組成近傍におけるLiAlの異常比熱)

Phys. Rev. B Vol.24 No.10

6158-6160頁
1981



本論文は、半金属的バンド構造を有するLiAlの低温における比熱異常とその起源について記述している。95Kにおける異常比熱と電気抵抗の不連続の原因は、LiAl中の高濃度Li原子空孔の規則-不規則変態によって生じることを指摘した。 6158~6160頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、簗田修二、野崎孝明、上條健
173 (MISC)その他記事
共著
Single-crystal growth and characterization of LiGaSe○ (LiGaSe○の単結晶成長と特性)

J. Appl. Phys. Vol.52 No.10

6441-6443頁
1981



本論文は、LiGaSe○の単結晶育成法と物理的性質を記述している。直接固化法によって育成した単結晶の格子定数、比差熱分析による融点、光反射による光学的バンドギャップを明らかにし、三元化合物半導体としての基礎物性を確立した。 6441~6443頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、野崎孝明
174 (MISC)その他記事
共著
Annealing effects on diectrical properties of LiInS2 (LiInSe2の電気的性質における熱処理効果)

J. Appl. Phys. Vol.52 No.2

1102-1103頁
1981



本論文は、LiInSe2単結晶の電気的性質の熱処理効果を記述している。育成結晶はn形伝導で高抵抗を示すが、セレン雰囲気中での熱処理により、P形の低抵抗に変化した。電気抵抗の温度依存性からバンドギャップ値を求め、ドナー、アクセプターの起源を検討した。 1102~1103頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:上條健、栗山一男
175 (MISC)その他記事
共著
Single crystal growth and characterization of LiInSe2 (LiInSe2の単結晶成長と特性)

J. Cryst. Growth Vol.51 No.1

6-10頁
1981



本論文は、LiInSe2の単結晶育成法と諸物性を記述している。直接固化法によって作成した単結晶の格子定数、へき開面、融点、光学的バンドギャップ値、比抵抗値を明らかにし、三元化合物半導体としての基礎物性を確立した。 6~10頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:上條健、栗山一男
176 (MISC)その他記事
共著
Dielectric constant and its temperature dependence of LiInSe2 (LiInSe2○の誘電率とその温度依存性)

Jap. J. Appl. Phys. Vol.19

395-397頁
1980



本論文は、三元化合物LiInSe2の誘電特性を記述している。誘電率の温度依存性を測定し、種々の半導体の誘電率とバンドギャップとの相関関係からLiInSe2が四面体結合性を有する半導体であることを明らかにした。 395~397頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:上條健、野崎孝明
177 (MISC)その他記事
共著
Anomalous electrical resistivity in LiAl near critical composition (臨界組成近傍におけるLiAlの異常電気抵抗)

Phys. Rev. B Vol.22 No.1

470-471頁
1980



本論文は、半金属的バンド構造を有するLiAlの低温における電気抵抗異常とその起源にて記述している。97K付近の抵抗の不連続の原因は格子変位による電荷密度波の存在、あるいは低温における結晶構造の規則ー不規則変態などが考えられることを指摘した。 470~471頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、上條健、野崎孝明
178 (MISC)その他記事
共著
Transport properties of LiAl (LiAlの電気伝導特性)

Phys. Rev. B Vol.21 No.10

4887-4888頁
1980



本論文は、半金属的伝導機構を有するLiAlの電気伝導特性を記述している。電気伝導の主役がホールであることを明らかにし、ホール係数の組成依存性をLiAl中に存在する格子欠陥との関係から説明した。また、バンド構造と伝導機構の相関を明らかにしている。 4887~4888頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、上條健、野崎孝明
179 (MISC)その他記事
共著
Blue-band emission in LiInS2 crystals (LiInS2結晶からの青色発光)

J. Appl. Phys. Vol.51 No.3

1827-1828頁
1980



本論文は、ワイドギャップ半導体LiInS2のフォトルミネッセンス(PL)特性を記述している。77KのPL測定で青色帯の発光が観測された。イオウ雰囲気中で熱処理を行うと青色発光強度が低下することから青色発光の起源はイオウ原子空孔が関与した帯間遷移であることを明らかにした。 1827~1828頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:上條健、栗山一男
180 (MISC)その他記事
共著
Single crystal growth of LiInS2 (LiInS2の単結晶成長)

J. Cryst Growth Vol.46 No.6

801-803頁
1979



本論文は、ワイドギャップ半導体LiInS2の単結晶育成法を記述している。結晶育成は直接固化法を用いて行い、単結晶育成に関する最適条件を明らかにしている。また、フォトルミネッセンス法により、2Kのバンドギャップが3.26eVの値を有することを明らかにした。 801~803頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:上條健、栗山一男
181 (MISC)その他記事
共著
Ultrasonic study on the elastic moduli of NaTl(B32)structure (NaTl(B32)型結晶構造の弾性率に関する超音波法による研究)

J. Phys. Chem. Solids Vol.40 No.6

457-461頁
1979



本論文は、NaTl型構造を有する金属間化合物の弾性的性質を超音波パルス法を用いて解明している。ダイヤモンド構造と同じ空間群を有するNaTl構造中のイオン-イオン相互作用の形態を明らかにし単純なクーロン相互作用によって結合していないことを示した。 457~461頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、斉藤茂芳、岩村国也
182 (MISC)その他記事
共著
Single crystal growth of Li2ZnGe (LiZnGeの単結晶成長)

J. Gryst. Growth Vol.46 No.1

151-153頁
1979



本論文は、三元化合物半導体Li2ZnGeの単結晶育成法を記述している。結晶育成は直接固化法を用いて行い、単結晶育成に関する最適条件を明らかにしている。また育成された結晶の格子定数、へき開面、比抵抗値に関する情報を提供している。 151~153頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、上條健
183 (MISC)その他記事
共著
Field emission from LiIn single crystals (LiIn単結晶からの電界放射)

J. Appl. Phys. Vol.47 No.8

3754-3755頁
1976



本論文はリチウム金属を含有するLiIn化合物からの電界電子放射に関する知見を与えている。LiInからの電界電子放射像を観察し、トンネル電流がFowler-Nordheimの式に従うことを明らかにした。 3754~3755頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、岩村国也、正木知己、岡田明
184 (MISC)その他記事
共著
Surface structure of titanium observed by field emission microscope (電界放射顕微鏡によるチタニウムの表面構造)

Surface Science Vol.55

697-700頁
1976



本論文は、電界放射顕微鏡を用いてチタニウム金属表面構造に関する知見を与えている。六方最密構造から体心立方構造への表面構造変態を超高真空中で、しかも清浄表面を用いて観測した。水素還元法による、チタニウム表面清浄技術を開発し、清浄な六方最密構造を有するチタニウム表面観察を行った。 697~700頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:千崎清司、栗山一男、川崎弘司
185 (MISC)その他記事
共著
Elastic constants of single-crystal lithium indium (LiIn単結晶の弾性定数)

Phys. Rev.B Vol.13 No.4

1528-1531頁
1976



本論文は、半金属的電気伝導特性を有するLiIn単結晶の弾性的性質を記述したものである。超音波パルス技術を用いて弾性定数を決定し、ダイヤモンド構造の格子力学理論がLiInには適用できないことを明らかにし、さらに、各格子間の結合状態を議論している。 1528~1531頁 共著者:栗山一男、斉藤茂芳
186 (MISC)その他記事
共著
The crystal structure of LiAl (LiAlの結晶構造)

Acta Crystallogr. Vol.B31

1793頁
1975



本論文は中性子線解析法を用い、核融合炉壁材料として期待されるLiAlのLi原子位置を決定し、熱振動による格子変位を記述している。結晶構造はNaTl型を有し、Li原子は単位胞中でダイヤモンド型構造を形成し、室温における平均格子変位は0.07Åであることを明確にした。 全1頁1793頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、正木典夫
187 (MISC)その他記事
共著
X-ray study of LiAl○○○Inx and Li○ AlIn (LiAl○○○InxとLi○ AlInのX線研究)

Jap. J. Appl. Phys. Vol.14 No.3

405-406頁
1975



本論文は、半金属的電気伝導特性を有するLi-Al-In化合物を作成し、結晶構造をX線解析法を用いて解析した結果を記述している。AlとInの組成変化による格子定数はVegardの法則に従うことを示し、空間群はFd3mであることを明らかにしている。 405~406頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:矢萩正人、栗山一男、岩村国也
188 (MISC)その他記事
共著
Bridgman growth of Lithium Indium alloy single crystals (リチウム・インジウム合金単結晶のブリッジマン成長)

J. Cryst. Growth Vol.23

160-162頁
1974



本論文は、半金属的電気伝導特性を有するLiIn合金の単結晶育成法を記述している。単結晶育成はブリッジマン法を用い、長さ20mm、直径6mmの単結晶を作成した。この結晶はダイヤモンドと同じ空間群を有し、へき開面が(111)であることをX線解析法により明らかにした。またLi濃度変化にともなう化学量論比1:1付近の格子定数変化を明らかにした。 160~162頁
189 (MISC)その他記事
共著
X-ray analysis of Li○CdPd compound (Li○CdPd 化合物のX線解析)

Jap. J. Appl. Phys. Vol.12 No.5

743-744頁
1973



本論文は、半導体的性質を有するLi○CdPd化合物の結晶構造をX線解析法を用いて解析した結果を記述している。この化合物は格子定数6.83Å、比重6.79g/○、空間群F43mを有することがわかった。 743~744頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:栗山一男、矢萩正人、岩村国也