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法政大学 
理工学部 
電気電子工学科 

教授 
栗山 一男 
クリヤマ カズオ 
KURIYAMA Kazuo 



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更新日:2015/04/25 

経歴
法政大学工学部 非常勤講師  1974/04/01-1977/03/01 
法政大学工学部電気電子専攻 研究助手  1977/04/01-現在 
法政大学工学部 専任講師  1978/04/01-現在 
法政大学工学部 助教授  1980/04/01-現在 
法政大学インオビーム工学研究所所員 兼任(現在に至る)  1980/04/01-現在 
法政大学 在外研究員(米国アルゴンヌ国立研究所客員研究員)  1984/03/01-1985/03/01 
法政大学工学部 教授(「物性工学」「電気電子工学特別演習」担当)大学院工学研究科電気工学専攻(「物性工学特別研究」「物性工学特論1」担当)   1988/04/01-現在 
法政大学イオンビーム工学研究所 所長  1996/04/01-2002/03/31 
法政大学大学院工学研究科 主任(大学院副議長兼務)  1997/04/01-1998/03/31 
法政大学イオンビーム工学研究所 所長  2009/04/01-現在 

学歴
法政大学  工学部  電気工学  1972 
法政大学  工学研究科  電気工学  博士後期  1977 

学位
工学博士 
工学修士 

研究分野
イオンビーム解析 
半導体物性 
青色発光材料 
シリコン基板埋め込みマイクロリチウム2次電池 

研究キーワード
半導体物性 
イオンビーム解析 
青色発光材料 
マイクロリチウム2次電池 

研究テーマ
半導体への不純物元素の中性子転換注入及び照射効果と電気的・光学的特性に関する研究  化合物半導体、中性子照射、電子線照射、フォトルミネッセンス  1983-現在 
シリコン基板埋め込み微小リチウム2次電池の作成と評価  微小リチウム2次電池、シリコンLSI、微小電源  1999-現在 
半導体のバンドギャップ改質に関する研究  半導体,直接遷移,バンドギャップ 
イオンビームによる超格子構造の結晶性評価  イオンビーム,ラザフォード後方散乱,イオンチャネリング 
青色発光材料の作成と光物性評価  青色発光,結晶成長,光学的性質 

受託・共同研究希望テーマ
シリコン基板埋め込み超微細リチウム2次電池作成技術に関する研究  産学連携等、民間を含む他機関等との共同研究を希望  受託研究 
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受託・共同・寄附研究実績
(1)化合物半導体中の軽元素不純物の空間的分布の精密測定に関する研究 (相手先機関:工業技術院電子技術総合研究所) (2)中性子転換注入化合物半導体の電気的性質に関する研究 (相手先機関:京都大学原子炉実験所)  共同研究  国内共同研究 
MEMS駆動用オンチップバッテリーの開発  2012-2013  受託研究 
シリコンチップ埋め込みマイクロリチウム2次電池の開発  2004-2006  その他 
シリコン基板内埋め込みリチウムマイクロバッテリー用固体電解質の開発  2003-2003  その他 
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競争的資金等の研究課題
シリコンチップ埋め込み超微小リチウム2次電池の構成と高機能化に関する研究  科学研究費  基盤研究(C)一般  2010/04/01-2013/03/31 
リチウムイオン伝導体としてのスピン・オン・グラス:陰イオン添加による伝導度促進  科学研究費  萌芽研究  2005/04/01-2007/03/31 
シリコン基板内埋め込みマイクロ二次電池内リチウムイオンの動的挙動のナノスケール評価  科学研究費  基盤研究(B)一般  2003/04/01-2006/03/31 
シリコン基板上へのリチウムイオン積層伝導膜の形成と物性評価  科学研究費  基盤研究(B)一般  2001/04/01-2003/03/31 
リチウム系金属間化合物の欠陥構造とリチウムイオンの動的挙動に関する研究  科学研究費  1996/04/01-1997/03/31 
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著書
全固体二次電池の開発ー高性能化と製作技術ー  栗山一男、串田一雅 (金村聖志 監修)  92-98  サイエンス&テクノロジー社  2007/06/29  978-4-903413-22-8 
薄膜と薄膜分析技術の基礎  海文堂出版  1989/06  本書はL.C.FeldmanとJ.W.Mayer共著、Fundamentals of Surface and Thin Film Analysisの全訳である。原子衝突と後方散乱法、軽イオンのエネルギー損失と深さプロファイル、スパッタによる深さプロファイル、チャネリング、電子ー電子相互作用と電子分光法の深さ感度、表面構造解析、固体中の光子吸収とEXAFS、X線光電子分光法、放射遷移と電子マイクロプローブ、非放射遷移とオージェ電子分光法、核技術:放射化分析と即発放射線分析について解説している。 共訳者:山本康博 
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論文
研究論文(学術雑誌)  共著  Compensation mechanism of DX-like center in neutron transmutation doped GaN  T. Nakamura, K. Kamioka, K. Kushida, Q. Xu, and M. Hasegawa  Solid State Communications  205, 1-3  2015 
研究論文(学術雑誌)  共著  Structural and magnetic properties of transtion metals doped ZnO(TM)/ZnO multilayers  H. Nakayama, I. Sakamoto, R. Kinoshita, M. Yasumoto, M. Koike, and S. Honda  Japanese Jouranal of Applied Physics  53, 05FB03-1-4  2014 
研究論文(学術雑誌)  共著  Nuclear reaction analysis of Ge ion-implanted ZnO bulk single crystals:The evaluation of the displacement in oxygen lattices  K, Kamioka, T. Oga, Y. Izawa, K. Kushida, and A. Kinomura  Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B  332, 11-14  2014 
研究論文(学術雑誌)  共著  Electronic structual change due to crystal structural transformation from gamma- to beta-phases of Li7VN4  K. Kushida, Y. Suzuki, and K. Kuriyama  Journal of Alloys and Compounds  599, 202-205  2014 
研究論文(学術雑誌)  共著  Two shallow donors related to Zn interstitial in S-ion implanted ZnO epitaxial film  K. Kamooka, K. Kuriyama, and K. Kushida  Solid State Commun.  188, 12-14  2014 
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受賞
(財)熱・電気エネルギー技術財団研究助成  2001/12 
(財)松永記念研究助成  1978/12 
(財)作行会研究助成  1977/02 
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社会貢献活動
京都大学原子炉実験所運営委員会委員  2013/04/01-2015/03/31 
独立行政法人産業技術総合研究所光技術研究部門(旧工業技術院電子技術研究所量子放射部)と共同研究実施  1991/04-現在 
日本原子力研究所タンデム協力研究(採択研究)実施  1989/04-1995/04 
応用物理学会講演会分科世話人  1988/04-1991/04 
工業技術院電子技術研究所オプトエレクトロニクス研究室流動研究員  1985/04-1986/03 
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所属学協会
京都大学原子炉実験所専門研究会 会員 
米国物理学会 会員 
日本原子力学会 会員 
日本物理学会 会員 
応用物理学会 会員 
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